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卢啸

作品数：8 被引量：1H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 6篇功率放大
  • 6篇功率放大器
  • 6篇放大器
  • 3篇多模式
  • 3篇无线
  • 3篇晶体管
  • 3篇高线性
  • 3篇F类
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇石墨烯材料
  • 2篇通信
  • 2篇通信电子
  • 2篇通讯系统
  • 2篇无线通讯
  • 2篇无线通讯系统
  • 2篇功率
  • 2篇背栅
  • 2篇GAN
  • 1篇导体

机构

  • 8篇电子科技大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 8篇卢啸
  • 7篇徐跃杭
  • 5篇孙岩
  • 5篇张勇
  • 2篇徐锐敏
  • 1篇兰贵林
  • 1篇国云川
  • 1篇延波
  • 1篇陈堂胜

传媒

  • 1篇微波学报

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2014
  • 3篇2013
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种基于石墨烯材料的高频纳机电谐振器及其制备工艺
本发明涉及一种基于石墨烯材料的具有新型结构的高频纳机电谐振器及其制备工艺，属于通信电子元器件技术领域。该制备工艺能使石墨烯平整、无损的转移到本地背栅的上面；且能有效降低器件制备过程中对石墨烯表面的污染，实现高质量的石墨烯...
徐跃杭孙岩卢啸李欧鹏张勇
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宽禁带半导体高效率功率放大器技术研究
宽禁带半导体为第三代半导体,其中最具有代表性的是氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN high mobility transistor, HEMT)。GaN HEMT具有二维电子气(Two-dimensional elect...
卢啸
关键词：宽禁带半导体开关模式输出功率
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基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器
本发明涉及一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器，属于电子元器件技术领域。该功率放大器包括输入偏置网络连接的输入匹配网络、输出偏置网络连接的输出匹配网络、以及晶体管；晶体管分别与输入匹配网络和输出匹...
徐跃杭卢啸孙岩张勇
基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器
本发明涉及一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器，属于电子元器件技术领域。该功率放大器包括输入偏置网络连接的输入匹配网络、输出偏置网络连接的输出匹配网络、以及晶体管；晶体管分别与输入匹配网络和输出匹...
徐跃杭卢啸孙岩张勇
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一种基于石墨烯材料的高频纳机电谐振器及其制备工艺
本发明涉及一种基于石墨烯材料的具有新型结构的高频纳机电谐振器及其制备工艺，属于通信电子元器件技术领域。该制备工艺能使石墨烯平整、无损的转移到本地背栅的上面；且能有效降低器件制备过程中对石墨烯表面的污染，实现高质量的石墨烯...
徐跃杭孙岩卢啸李欧鹏张勇
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Ku波段GaNE类功率放大器被引量：1
2014年
Ga NHEMT由于同时具有高功率密度和高速度的特点,是国内外学者研究的热点。同时,E类功率放大器具有良好的高效率宽频带的特性,应用前景广泛。本文基于南京电子器件研究所Ga N HEMT器件,开展了Ku波段Ga N E类功率放大器设计研究。针对Ga N HEMT器件较高的输出电容Cds,采用补偿微带的结构减小寄生参数的影响,设计了13.7GHz^14.2GHz的Ga N E类功率放大器。实测表明,该放大器在连续波输入功率25d Bm的情况下,在13.7GHz^14.2GHz频率范围内漏极效率大于36%,输出功率大于30d Bm。
罗俞杰徐跃杭卢啸延波陈堂胜徐锐敏
关键词：功率放大器GANE类KU波段开关型
L波段GaN高效率功率放大器技术研究
宽禁带半导体材料GaN以其高击穿电场强度、高热导率等优点成为高频大功率器件的研究热点。采用微带线和并联电容匹配电路方式设计制作了一款工作在1.15 GHz的GaNHEMT高效率功率放大器。测试实验结果表明,在1.15GH...
卢啸徐跃杭兰贵林国云川徐锐敏
关键词：GAN功率放大器L波段
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基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器
本实用新型涉及一种基于氮化镓高电子迁移率晶体管AB/逆F类多模式功率放大器，属于电子元器件技术领域。该功率放大器包括输入偏置网络连接的输入匹配网络、输出偏置网络连接的输出匹配网络、以及晶体管；晶体管分别与输入匹配网络和输...
徐跃杭卢啸孙岩张勇
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