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刘澎

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电源
  • 2篇电子元
  • 2篇电子元件
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇直流电
  • 2篇直流电源
  • 2篇最高温度
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子元件
  • 2篇温度
  • 2篇模拟IC
  • 2篇机械泵
  • 2篇溅射
  • 2篇高压直流
  • 2篇高压直流电源
  • 2篇分子泵
  • 2篇高温
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇刘澎
  • 3篇操振华
  • 3篇孟祥康
  • 3篇陆海鸣
  • 3篇李平云
  • 3篇徐春

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种基于模拟IC服役条件的多场耦合实验方法和装置
基于模拟IC真实服役条件的多场耦合装置，由主工作室、闸板阀、分子泵、机械泵、高压直流电源及控制柜、加热器组件、铜板、电场支撑杆、电场支撑杆和陶瓷垫支撑板构成，加热器组件被安装在铜板背部。实现了对电场与温度在高真空下的耦合...
孟祥康操振华李平云刘澎徐春陆海鸣
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一种基于模拟IC服役条件的多场耦合实验方法和装置
基于模拟IC真实服役条件的多场耦合装置，由主工作室、闸板阀、分子泵、机械泵、高压直流电源及控制柜、加热器组件、铜板、电场支撑杆、电场支撑杆和陶瓷垫支撑板构成，加热器组件被安装在铜板背部。实现了对电场与温度在高真空下的耦合...
孟祥康操振华李平云刘澎徐春陆海鸣
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Cu互连中阻挡层Ta膜的制备及其结构与性能表征
随着集成电路工艺进入深亚微米阶段，互连延迟，尤其是整体互连的时间延迟远远超出了栅延迟，成为提高集成电路性能的一大障碍。Cu是目前应用最广泛的互连材料，它有Al所不可比拟的优良性质。然而由于Cu极易扩散进入Si及其氧化物中...
刘澎
关键词：直流磁控溅射性能表征
一种不同相结构的纳米晶金属Ta薄膜的制备方法
一种不同相结构的纳米晶金属Ta薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法，溅射靶材为纯度达到99.9wt％以上的Ta，衬底为单晶Si片(111)，在沉积之前，将Si片清洗，然后对真空室抽真空，对Ta靶进行约30min的预溅射；T...
孟祥康操振华刘澎李平云陆海鸣徐春
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