冯志宏
- 作品数：7 被引量：9H指数：1
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- 蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料的研究被引量：1
- 2007年
- 通过优化蓝宝石衬底上GaN材料缓冲层和Mg掺杂生长工艺,获得了高质量的半绝缘GaN缓冲层,同时通过优化AlGaN/GaN异质结材料中AlN插入层的厚度,获得了性能优良的AlGaN/GaN HEMT材料。室温下2DEG载流子面密度为1.21×1013/cm2,迁移率为1970 cm2/V.s,77 K下2DEG迁移率达到13000 cm2/V.s。
- 袁凤坡梁栋尹甲运许敏刘波冯志宏
- 关键词：异质结二维电子气
- MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
- 2008年
- 报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205nm和266nm,且都非常陡峭。
- 刘波袁凤坡尹甲运刘英斌冯震冯志宏
- 关键词：ALGAN金属有机化学气相淀积X射线衍射透射光谱
- Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析被引量：6
- 2008年
- 对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568cm-1),计算得出GaN材料的应力从1.09GPa减小到0.42GPa。同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证。结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料。
- 尹甲运刘波张森冯志宏冯震蔡树军
- 关键词：氮化镓喇曼散射光荧光谱应力SI衬底
- 高质量无应变InAlN/GaN异质结材料研究
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。采用XRD、反射光谱、TE...
- 刘波尹甲运李佳冯志宏冯震蔡树军
- 关键词：金属有机物化学气相沉积异质结材料
- 文献传递
- Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT被引量：1
- 2007年
- 利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.
- 冯志宏尹甲运袁凤坡刘波梁栋默江辉张志国王勇冯震李效白杨克武蔡树军
- 关键词：SI衬底GANHEMT功率密度
- 国产SiC衬底GaN HEMT外延材料研究进展
- 利用国产2英寸半绝缘SiC单晶衬底,实现了高性能GaN HEMT外延材料。室温下最高二维电子气迁移率2138 cm2/V·s,平均方块电阻281.5Ω/U,标准偏差3.59％。2.5 mm栅宽GaN微波功率器件8 GHz...
- 冯志宏尹甲运刘波王勇徐现刚冯震蔡树军
- 关键词：迁移率功率密度功率器件微波器件输出功率
- 文献传递
- 4H-SiC同质外延层的质量表征
- 2009年
- 在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针C-V以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。在同质外延7.5μm的外延层后,其半高宽从衬底的30.55arcsec减小到27.85arcsec;外延层表面10μm×10μm的粗糙度(RMS)为0.271nm;室温下,样品的掺杂浓度为1×1015cm-3时,霍尔迁移率高达987cm2/(V.s);浓度为1.5×1016cm-3时,霍尔迁移率为821cm2/(V.s)。77K时,霍耳迁移率分别为1.82×104cm2/(V.s)和1.29×104cm2/(V.s)。掺杂浓度的汞探针C-V测试结果与霍尔效应的实验数据一致。
- 李佳冯志宏陈昊蔡树军
- 关键词：4H-SICXRDAFM迁移率
