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万磊

作品数:6 被引量:6H指数:2
供职机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇电化学
  • 3篇电化学沉积
  • 2篇电池
  • 2篇电池制备
  • 2篇一步法
  • 2篇基质隔离
  • 2篇光谱
  • 2篇红外
  • 1篇氧化碳
  • 1篇氧化亚氮
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇铜铟硒
  • 1篇铜铟硒薄膜
  • 1篇铜铟镓硒
  • 1篇仲氢
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化镉
  • 1篇化合物半导体

机构

  • 6篇中国科学技术...

作者

  • 6篇万磊
  • 3篇王德亮
  • 2篇曹永胜
  • 1篇胡水明
  • 1篇吴磊
  • 1篇侯泽荣
  • 1篇杜军和
  • 1篇刘安雯
  • 1篇邓文平
  • 1篇白治中

传媒

  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
固态氢基质隔离分子高分辨光谱装置和部分应用
基质隔离光谱技术的历史可以追溯到上个世纪40年代,在50年代成为研究化学反应的一种重要手段。并且在随后的几十年里,不同基质的使用(N2、H2、惰性气体等)隔离光谱技术被广泛地应用于研究分子之间的相互作用、反应的中间态及产...
万磊
关键词:红外吸收光谱氧化亚氮二氧化碳
文献传递
一步法电化学沉积CuInSe2薄膜的硒化过程研究及电池制备
用固态硒源在几乎密封的真空腔内,硒化一步法电化学沉积的Cu-In-2Se预制膜,制备了CuInSe(CIS)薄膜。为了得到能应用于太阳能电池上的致密、相均匀的CIS大晶粒薄膜,利用X射线衍射、X射线荧光光谱、Raman光...
万磊曹永胜王德亮
关键词:CUINSE2电化学沉积
文献传递
一步法电化学沉积CuInSe2薄膜的硒化过程研究及电池制备
用固态硒源在几乎密封的真空腔内,硒化一步法电化学沉积的Cu-In-2Se预制膜,制备了CuInSe2(CIS)薄膜.为了得到能应用于太阳能电池上的致密、相均匀的CIS大晶粒薄膜,利用X射线衍射、X射线荧光光谱、Raman...
万磊曹永胜王德亮
关键词:电化学沉积太阳能电池电池制备
文献传递
铜铟硒薄膜太阳能电池相关材料研究
铜铟硒(CIS)或铜铟镓硒(CIGS)和硫化镉(CdS)是制造薄膜太阳能电池的非常优良的化合物半导体材料,CIGS太阳能电池有非常高的光电转化效率,目前已经达到19.9%。为了推进CIGS薄膜太阳能电池的商业化进程,需要...
万磊
关键词:化合物半导体材料铜铟硒铜铟镓硒硫化镉电化学沉积
文献传递
CdCl_2热处理对CdS/CdTe界面扩散和界面反应的影响研究被引量:3
2010年
采用在CdTe薄膜太阳能电池结构Glass/FTO/CdS/CdTe基础上制备的Glass/FTO/CdS/CdTe/CdS体系,通过XRD,SEM,Raman,XPS研究了不同温度CdCl2空气热处理对CdS/CdTe界面互扩散、界面反应和重结晶过程的影响.研究表明,样品的表面形貌在不同温度热处理后有剧烈的差异,经300~350℃热处理后,CdS晶粒从室温时的20nm迅速增大至70nm左右,这与CdS从立方相到六方相的相变温度符合.CdS/CdTe界面在350℃左右就开始比较明显地互扩散,550℃时界面已生成具有六方纤锌矿结构的CdS0.85Te0.15.CdS因与CdTe的相互扩散并生成CdSxTe1-x而被迅速消耗.450℃以上CdS/CdTe界面部分被氧化生成CdTeO3.拉曼光谱中CdS的1LO峰在350℃左右由强变弱同时向低波数移动表明开始生成CdSxTe1-x.光电子能谱验证了CdSxTe1-x和CdTeO3在热处理过程中的形成.CdCl2防止了界面的氧化和促进了CdS/CdTe界面扩散以及CdSxTe1-x的生成.
侯泽荣万磊白治中王德亮
关键词:CDSCDTE
氖和仲氢基质隔离的CO2红外光谱研究
万磊吴磊邓文平刘安雯杜军和胡水明
共1页<1>
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