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高质量镁铝尖晶石单晶生长的研究被引量：8: 1995年; 对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究。采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ＿２Ｏ＿３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４多晶料。使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氢气中用提拉法以及合适的温场和最佳工艺参数，生长出了高质量的镁铝尖晶石单晶，其性能达到微波器件使用要求。; 陈淑芬胡少勤赵鹏冯杰; 关键词：单晶生长相图中频感应提拉法

高频SAW器件用无亚晶界铌酸锂单晶的研究被引量：1: 1997年; 高频ＳＡＷ器件用无亚晶界铌酸锂单晶的研究陈淑芬史榜春胡少勤赵启鹏李和新黄绪正（四川压电与声光技术研究所，重庆６３００６０）ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎＳｕｂｂｏｕｎｄａｒｙＦｒｅｅＬｉＮｂＯ３ＳｉｎｇｌｅＣｒｙｓｔａｌＵｓｅｄｆｏｒＨｉｇｈＦｒｅｑｕｅｎ...; 陈淑芬史榜春胡少勤赵启鹏李和新黄绪正; 关键词：压电晶体铌酸锂晶体引上法晶体生长单晶

大尺寸a轴光学铌酸锂晶体生长的研究被引量：1: 1997年; 采用直拉法在较小温度梯度的条件下，从熔体中生长了尺寸为８０ｍｍ×８０ｍｍ的ａ轴光学铌酸锂晶体。较好地解决了该种晶体容易开裂和易生双晶等问题。生长出的晶体无宏观缺陷，加工性能良好，用于光波导衬底效果令人满意。阐述了生长ａ轴光学铌酸锂晶体的工艺以及这些工艺参数的确定依据。; 赵启鹏陈淑芬; 关键词：温度梯度晶体生长

MgAl_2O_4晶体缺陷的研究被引量：2: 1997年; ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体是一种高熔点（２１３０℃）、高硬度（莫氏８）的晶体材料。属面心立方结构，空间群为Ｆｄ３ｍ，晶格常数为０．８０８５ｎｍ。该晶格是一种优良的传声介质材料，在微波段的声衰减低，用它制作的微波延迟线插入损耗小。另外，与Ｓｉ的晶格匹配性能好，其膨胀系数也与Ｓｉ相近，因而外延Ｓｉ膜的形变歪扭小，制作的大规模超高速集成电路速度比用蓝宝石制作的速度要快。近来，国外又用ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体作超导材料，效果很好。但是ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体内部容易出现几种缺陷，对晶体实际应用影响很大。本工作针对ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体中几种缺陷进行研究。在同一种尖晶石的熔体中生长出的晶体，有两个晶格常数，两种结构共存于同一晶体中的情况，而晶格常数的值取决于尖晶石组分的摩尔比，引起晶体在生长过程中晶体局部首先溶解及熔液温度无规律起伏，当两种尖晶石在晶格中排列有规律时，不会引起定向偏差，晶体在１０００℃退火时不出现多相，这种晶体不影响器件性能。当温度梯度不合适或工艺参数不匹配时或其他原因，晶体中两种尖晶石的晶格排列不均匀而无规律，在晶体中出现多相而引起定向偏差，这样的晶体严重影响器件性能，无法使用。为此，在生长ＭｇＡｌ２Ｏ４晶体时，必须选好合?; 陈淑芬胡少勤赵启鹏; 关键词：散射颗粒晶体缺陷

大尺寸a轴光学LiNbO3晶体的解理开裂: 1997年; 晶体开裂一直是一个长期困扰晶体成功生长的难题，我们在进行了大量的实验和理论分析后发现了引起ａ轴光学ＬｉＮｂＯ３晶体开裂的一个重要的原因，并找到了解决办法。在保证晶体能够顺利生长的条件下，我们设计了一个纵向和径向温度梯度都很小的温场。从这个温场中生长出来的晶体应力小，但仍出现晶体开裂的现象。这些开裂主要表现为从引晶处如刀削般直裂到底，裂纹通常在晶体中心，极个别在晶体边缘，宽度在１０～１５ｍｍ之间。经测定，裂面方向与ｙ方向的夹角约为３５°左右，这与Ｙ轴方向夹角为３２．７６°的（１０．２）面是大致相同的。我们得出的结论是：应力集中在晶体解理面造成了开裂。开裂面是（１０．２）面，这个面是ＬｉＮｂＯ３晶体的主解理面，是面与面之间结合力最弱的地方，而这个面又与晶体的生长方向［１１０］平行。由于ＬｉＮｂＯ３晶体的晶形是正菱面体（Ｒ）、负菱面体（ｒ）及两组三方柱组成的六方柱（ｍ）三组单形构成的，正、负菱面族最易显露的晶面发别是｛０１１－２｝和｛１０１－２｝。这说明两族晶面生长速度和溶解速度最慢。根据Ｄｏｎｎｅｙ－Ｈａｒｋｅｒ的Ｂｒａｖａｉｎ扩展定律和Ｈａｒｔｍａｎ的周期键链理论，可以得到以下二个结论：（１）在ＬｉＮＯ３结构?; 赵启鹏陈淑芬; 关键词：铌酸锂晶体晶体体缺陷

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陈淑芬

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