钟小丽
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：海南师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：海南省教育厅高等学校科学研究项目海南省教育厅科研基金更多>>
- 相关领域：理学文化科学机械工程更多>>
- 有限晶格动力学数字计算
- 2003年
- 文章介绍了自由边界晶格动力学方法,并给出由该方法所得到的一些有意义的结果.
- 钟小丽
- 关键词：自由边界条件
- 原子荧光分析实验课教学讨论
- 1997年
- 对原子荧光分析实验课中常遇到的一些问题进行了分析和总结，并给出与测量结果有关系的几个工作参数的参考值．
- 钟小丽
- 关键词：荧光强度教学实验课
- 半离散MKdV方程的孤子解被引量：1
- 2008年
- 半离散MKdV方程可以通过Backlund变换Toda非线性晶格动力学方程得到，Kwok W．Chow已得到其零边界的孤子解。为简化繁琐的手工计算，文章采用实指数方法并借助Mathematica符号计算软件编程求解，不仅得到已有的零边界的孤子解，而且还得到新的非零边界孤子解。
- 潘孟美钟小丽
- 关键词：孤子解
- SiP化合物结构和电子特性的第一性原理研究被引量：1
- 2010年
- 应用第一性原理方法研究了SiP化合物的结构和电子特性,并且将研究推广到其他第四族元素磷化物(IV-P).在研究的各种结构中,SiP单斜晶体结构是能量最低、最稳定的结构.SiP的体弹性模量比CN和CP化合物以及相对应的第三族元素氮化物和磷化物要小.SiP不同的结构间能发生相变,其单斜晶体结构(monoclinic)在压强为6.2 GPa,15.0 GPa,19.3 GPa,20.0 GPa和10.3 GPa时分别转变成GeP型结构、Rhom.型结构、β-InS型结构、CsCl型结构和NaCl型结构.能带计算结果显示SiP单斜晶体结构(monoclinic)和GaSe型结构是间接带隙分别为1.123 eV和0.123 eV的半导体,SiP其他结构则显示出金属特性.其他化学比为1:1的第四族元素磷化物(IV-P)具有相同的性质.
- 潘孟美钟小丽曾腾
- 关键词：SIP电子特性第一性原理
- 对测定薄透镜焦距误差的探讨被引量：1
- 2006年
- 讨论了在非理想状态下,即薄透镜仅存在光心误差的情况下,对高斯法和共轭法测焦距f进行推导,指出高斯法和共轭法产生的误差是一样大的,并推导出产生△f最小的条件．
- 林红丘名实钟小丽曾腾
- 关键词：薄透镜主平面
