赵刚
- 作品数：13 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术航空宇航科学技术更多>>
- 近地面1553B通信系统HEMP效应试验被引量：2
- 2010年
- 为了考察地面设备抗高空电磁脉冲(HEMP)性能,确定关键耦合节点,寻求有效的加固方法,进行了带1553B通信电缆的某地面监控系统的功能演示设备HEMP效应试验。通过分析电磁脉冲主要耦合通道,针对耦合通道设计实验方案,测试了1553B通信线缆及变压耦合器端口的HEMP耦合信号,分析了系统中变压耦合器及隔离变压器对耦合干扰信号的影响,同时对低通滤波器降低HEMP耦合的加固方法进行了验证。实验结果显示1553B通信系统具有较好的抗HEMP性能,变压耦合器对端口耦合信号有较大影响,采用低通滤波器可以简单有效地降低HEMP耦合强度。
- 邓建红周启明赵刚李小伟周开明王艳
- 关键词：加固方法
- 地面1553B通讯系统HEMP效应研究
- 本文介绍了典型1553B通讯系统地面HEMP效应试验。试验测试了1553B线缆及变压器端口耦合数据,分析了系统中耦合变压器及隔离变压器对耦合信号的影响，同时对降低HEMP耦合的加固方法进行了研究。
- 邓建红余彦胤赵刚李小伟周开明王艳
- 关键词：飞机通信电磁脉冲信号耦合通信测试
- 文献传递
- 国产加固型80C196KC20RHA单片机与Intel80C196KC20单片机抗γ总剂量性能比较
- 本文介绍了国产加固型单片机80C196KC20RHA单片机与Intel同型单片机抗辐射性能的比较,通过试验表明该型号的国产单片机抗γ总剂量的能力在5.88×103Gy(Si)以上,远高于Intel同类产品.
- 赵刚詹峻岭徐曦
- 关键词：单片机
- 文献传递
- 用于抗闭锁的辐射敏感开关被引量：2
- 2005年
- 介绍了一种用于抗闭锁的辐射敏感开关。设计的辐射敏感开关在“闪光I”瞬时辐射模拟源上进行了实验考核。实验结果表明,该辐射敏感开关能够成功驱动超大规模集成电路,达到抗闭锁设计目的。
- 许献国胡健栋赵刚徐曦
- 关键词：集成电路
- 伪闭锁路径法的应用
- 2006年
- 在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例。运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制。“闪光I”瞬时辐照试验表明,该抗闭锁电路的触发阈值剂量率很低,只有1.3×104Gy(Si)/s,能够成功抑制单片机系统的辐射感应闭锁。
- 许献国徐曦胡健栋赵刚
- 关键词：体硅CMOS器件闭锁单片机
- 两种CPLD抗瞬时辐照性能比较
- 本文介绍了Xilinx公司的CPLD XC95144和华微公司的CPLDHWD114144抗瞬时辐射的性能，通过在“闪光I”的对比试验可以得出这两种CPLD在瞬时伽玛辐照下都不易出现闭锁，但在较低的剂量率时都会出现扰，抗...
- 赵刚叶鸿詹峻岭
- 关键词：集成电路电磁干扰
- 文献传递
- INTEL 80C196KC20单片机与国产加固型80C196KC20RHA单片机抗辐射性能比较
- 本文介绍了国产加固型的单片机80C196KC20RHA与INTEL产80C196KC20单片机的抗辐射性能,通过两种单片机系统在'闪光I'和<'60>Co辐照源的对比试验可以看出:该国产加固型的单片机抗电离总剂量的性能在...
- 詹峻岭赵刚徐曦赵汝清
- 关键词：单片机电离辐射
- 文献传递
- 地面1553B通讯系统HEMP效应研究
- 本文介绍了典型1553B通讯系统地面HEMP效应试验。试验测试了1553B线缆及变压器端口耦合数据,分析了系统中耦合变压器及隔离变压器对耦合信号的影响。同时对降低HEMP耦合的加固方法进行了初步研究。
- 邓建红余彦胤赵刚李小伟周开明王艳
- 关键词：HEMP
- 文献传递
- 电路仿真在单片机系统抗闭锁加固技术中的应用
- 本文介绍了ORCAD/PSPICE仿真软件在80C196KC20单片机系统LRC抗闭锁加固技术中的应用.该仿真软件在此项目中的应用表明:在抗辐射加固研究中引入仿真技术,不仅可以节约时间,降低成本,还提高我们的研究水平.
- 赵刚许献国赵洪超
- 关键词：电路仿真ORCADPSPICE
- 文献传递
- 80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究被引量：1
- 2009年
- 研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应。对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯片输出波形的变化。研究了单元电路的辐照敏感性对系统辐射损伤的贡献,得到了系统及单元电路的剂量增强系数。从实验结果综合分析得出:相对而言,PSD单元电路是辐射敏感区域,严重影响了系统的抗辐射能力;系统和单元电路的剂量增强并不显著,一方面,芯片采用的是塑封工艺,不存在重金属材料,另一方面,封装外壳吸收了部分低能X射线,实验测量到的剂量增强系数小于真实值。
- 褚忠强徐曦牟维兵詹峻岭赵刚
- 关键词：单片机系统单元电路总剂量辐照
