许程源
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。
- 肖勇许程源张光强蒋书文
- 关键词：氧空位退火
- 基于BST可变电容的电调微带天线研究被引量：1
- 2012年
- 采用BaxSr1–xTiO3(BST)可变电容作为调谐元件研制了一种工作频率可调的电调谐微带天线。该天线通过利用单片机控制电源单元输出不同的偏置电压来改变BST可变电容的电容大小,进而实现工作频点的调整。结果表明,当电源输出偏压在0-52 V变化时,该微带天线的工作频点可在1.47-1.61 GHz调节,回波损耗低于–15 dB。
- 张光强肖勇许程源陈湘亮蒋书文
- 关键词：微带天线单片机
- Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜电容的尺寸效应研究
- 2013年
- 采用射频磁控溅射和微细加工技术制备了不同尺寸的钛酸锶钡(Ba0.5Sr0.5TiO3,BST)平行板电容,研究了低频和高频条件下不同尺寸BST平行板电容的电容密度和Q值的变化情况。结果表明,由于存在边缘效应,BST薄膜电容的电容密度及Q值都具有尺寸效应。低频时,随着电容面积增大,电容密度减小,Q值增大。高频时,随着电容面积增大,电容密度及Q值减小。
- 许程源肖勇张光强蒋书文
- 关键词：尺寸效应Q值
- BST薄膜电容高频性能表征研究
- 近年来，随着无线通信行业的快速发展，诸如通信卫星、LTE通信设备、光纤通信设备等，对于微波电路在不同频率下的设计和工作都提出了更高的要求。可调介质薄膜材料作为可调微波器件的重要组成部分越来越受到人们的关注。而对材料性能的...
- 许程源
- 关键词：变容管
