肖勇
- 作品数：15 被引量：53H指数：5
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：四川省青年科技基金国家自然科学基金湖南省教育厅科研基金更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- BaWO_4掺杂对BMT陶瓷介电性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用传统电子陶瓷工艺合成了BaWO4掺杂的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)微波介质陶瓷,研究了质量分数w(BaWO4)从2%～8%变化对BMT微波介质陶瓷结构和微波特性的影响。实验结果表明:添加少量的BaWO4能明显改善BMT陶瓷的烧结性能,当w(BaWO4)=4%时,BMT陶瓷的烧结温度由纯相时的1 650℃以上降至1 400℃,其体积密度为7.562 g/cm3,相对密度达到99%,同时BMT陶瓷体系获得了良好的微波性能:εr=26.7,Q.f=98 THz(8 GHz),τf=6.5×10–6/℃。
- 彭森吴孟强肖勇陈黎姜锐
- 关键词：掺杂微波介质陶瓷
- 基于D3D的HE-NE激光光束三维模拟被引量：1
- 2009年
- 基于DirectX3D技术实现激光光束的三维模拟。利用MFC文档视图结构作为D3D的开发环境,对基模高斯光束进行三维建模,通过特定图像算法,采用D3D的三维绘图特性其中的三角带元绘图,以实现激光三维立体图真实再现。
- 肖勇余学才
- 关键词：D3D高斯光束
- SrCO3掺杂对BMT陶瓷结构及介电性能的影响被引量：4
- 2011年
- 采用固相烧结法制备SrCO3掺杂Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT)微波介质陶瓷,研究SrCO3质量(下同)掺量w(SrCO3)=2%～8%对BMT微波介质陶瓷结构和介电性能的影响。结果表明:添加适量SrCO3可以促进烧结并在一定程度上提高BMT陶瓷体系的B位离子1:2有序度;当w(SrCO3)=6%时,陶瓷致密化烧结温度由纯相时的1650℃以上降至1500℃,体积密度ρV=7.534g/cm3,相对密度达到98.7%,此时陶瓷体系获得良好的微波介电性能:相对介电常数εr=24.5,品质因数与谐振频率的乘积Q.f=99000GHz(8GHz),谐振频率温度系数τf=9.6×10-6℃-1。
- 彭森吴孟强肖勇许建明刘轶陈黎张树人
- 关键词：微波介质陶瓷烧结性掺杂介电性能
- TiO_2含量对PTFE/TiO_2微波介质复合材料性能的影响被引量：9
- 2012年
- 采用机械搅拌、冷压成型和烧结相结合的方法制备了TiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)微波介质复合材料,通过扫描电镜表征了TiO2颗粒在PTFE中的分散情况及复合材料的微观形貌,测定了材料的热膨胀系数、介电性能及吸水率等参数。重点研究了不同含量TiO2对复合材料热、介电性能的影响。结果表明,随着TiO2含量的增加,复合介质板的密度先增大到一个最大值然后减小,吸水率、介电常数和介电损耗随着TiO2含量的增加而增加,热膨胀系数则呈相反趋势。TiO2含量增加约65%时,复合材料的密度达到最大值(2.802g/cm3),此时介电常数为8.89,介电损耗为0.002 5。
- 肖勇吴孟强袁颖庞翔陈黎童启铭
- 关键词：复合材料TIO2介电性能
- Bi_(1.5)Mg_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜的介电损耗机理研究
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在Al2O3基片上沉积了铌酸铋镁(Bi1.5Mg1.0Nb1.5O7,BMN)薄膜,研究了不同退火条件下BMN薄膜的介电损耗机理。结果表明,充分的退火能够减小氧空位缺陷密度,并降低介电损耗。氧气气氛下退火能够有效补偿BMN薄膜中的氧空位,使得介电损耗进一步降低。这说明氧空位导致的带电缺陷损耗是BMN薄膜材料主要的介电损耗机制。此外,BMN薄膜中也存在晶界损耗机制。
- 肖勇许程源张光强蒋书文
- 关键词：氧空位退火
- 基于BST可变电容的电调微带天线研究被引量：1
- 2012年
- 采用BaxSr1–xTiO3(BST)可变电容作为调谐元件研制了一种工作频率可调的电调谐微带天线。该天线通过利用单片机控制电源单元输出不同的偏置电压来改变BST可变电容的电容大小,进而实现工作频点的调整。结果表明,当电源输出偏压在0-52 V变化时,该微带天线的工作频点可在1.47-1.61 GHz调节,回波损耗低于–15 dB。
- 张光强肖勇许程源陈湘亮蒋书文
- 关键词：微带天线单片机
- SiO_2含量对PTFE/SiO_2复合材料性能的影响被引量：10
- 2012年
- 采用类似于粉末冶金工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了(1-x)PTFE-xSiO2(x为质量比)复合介质材料中,不同x值(x=0.35,0.40,0.45,0.50,0.55)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度随着SiO2含量的增加而减少,吸水率、热膨胀系数、介电常数和介电损耗随着SiO2含量的增加而增加。当SiO2质量分数为50%时,PTFE能很好地在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17μ℃-1)、介电常数(2.74)和低介电损耗(0.002)。
- 庞翔袁颖肖勇童启铭李攀敏邓新峰
- 关键词：复合材料SIO2热膨胀系数介电性能
- 无机微/纳米粒子表面包覆改性技术被引量：9
- 2011年
- 综述了无机微/纳米粒子表面包覆的形成机理,从有机和无机包覆两个方面阐述了无机微/纳米粒子表面改性技术的研究进展,对偶联剂改性、表面接枝聚合法、机械混合法、球磨法、溶胶-凝胶法等常用的包覆方法一一进行了介绍和举例,并提出了超细无机粒子的包覆改性中存在的几个亟待解决的问题。
- 肖勇吴孟强袁颖庞翔陈黎
- 关键词：表面改性偶联剂
- Al^(3+)非化学计量比对CNTA陶瓷材料性能的影响被引量：1
- 2012年
- 为满足NdAlO3-CaTiO3体系陶瓷材料(CNTA)的微波介电性能,用传统固相反应法制备了0.32NdAl(1+x)O3-0.68CaTiO3陶瓷材料。针对当x=-0.003,-0.002,-0.001,0,0.001,0.002,0.003时,研究了Al3+的非化学计量比对0.32NdAlO3-0.68CaTiO3微波介质陶瓷材料结构和性能的影响规律。结果表明,陶瓷结构均较致密,无气孔,晶界清晰,各组分的X线衍射峰基本一致,主晶相均为0.32NdAlO3-0.68CaTiO3。与x=0的配方葙相比,Al3+的变化导致材料的密度和品质因数与频率的乘积(Q×f)变大,微波介电常数(εr)减小。随着x由0向±0.003变化时,陶瓷材料的密度在x为-0.001和0.001时达到极值,分别为4.841g/cm3和4.884g/cm3。当x=0时,微波εr=45.13向两边递减,Q×f值分别在x为-0.001和0.001时达到极值,分别为36700和36600。
- 童启铭钟朝位李攀敏庞翔肖勇
- 关键词：微波介质陶瓷介电性能固溶体CATIO3
- 基于ADS的平行耦合带通滤波器的设计被引量：5
- 2012年
- 介绍了一种设计平行耦合带通滤波器的方法,通过ADS软件设计,优化了中心频率为1.0GHz、带宽为100MHz的带通滤波器。针对ADS电路仿真中很多寄生和耦合因素均被忽略而导致很大误差的情况,借助momentum-2.5D对滤波器模型进行多维电磁仿真,优化滤波器的结构参数,然后用性能良好的陶瓷基板加工出滤波器实物。实物测试结果和仿真设计吻合较好。最后得到的滤波器具有良好的端口反射特性。通带衰减小于2dB,端口反射系数小于-20dB;阻带衰减大于40dB,达到了技术指标的要求。
- 陈黎吴孟强肖勇张树人
- 关键词：微带线ADS仿真带通滤波器电磁仿真
