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詹俊

作品数:10 被引量:15H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第四十三研究所更多>>
发文基金:安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域:化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇化学工程
  • 3篇电子电信

主题

  • 6篇陶瓷
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化铝
  • 5篇ALN陶瓷
  • 3篇氮化铝陶瓷
  • 3篇烧结助剂
  • 2篇烧结温度
  • 2篇蚀刻
  • 2篇透光
  • 2篇微蚀
  • 2篇线条
  • 2篇基板
  • 2篇菲林
  • 1篇导热
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子系统
  • 1篇润湿
  • 1篇润湿性
  • 1篇润湿性能

机构

  • 6篇合肥工业大学
  • 5篇中国电子科技...

作者

  • 10篇詹俊
  • 5篇崔嵩
  • 4篇汤文明
  • 2篇吴玉彪
  • 1篇耿春磊
  • 1篇张浩
  • 1篇党军杰
  • 1篇郭军

传媒

  • 2篇中国陶瓷
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
A1N陶瓷的低温烧结与组织结构优化
随着微电子技术的不断发展,电力电子系统高集成度导致功率密度的提高,器件工作时产生的热量增加,Al203等传统的陶瓷基板已经难以满足电子封装工业对基板越来越高的热耗散性能的要求。由于具有优良的导热、介电及力学性能,AlN陶...
詹俊
关键词:ALN陶瓷烧结助剂
文献传递
大功率IGBT模块用氮化铝DBC基板技术研究被引量:2
2017年
IGBT模块随着功率的不断增大,对DBC基板的导热性能提出了更高的要求,常规的氧化铝DBC已经不能满足导热要求,氧化铍由于加工过程有毒限制其推广应用,氮化铝DBC基板成为环保、高效、满足散热的新一代DBC基板。而铜氧化物对氮化铝难以润湿成为氮化铝DBC制备过程的首要难题,铜片与氮化铝键合界面的孔洞严重影响DBC基板的可靠性,本论文主要阐述高可靠氮化铝DBC基板的制造方案,采用化学方法对氮化铝基板表面进行处理,再采用高温氧化技术处理氮化铝陶瓷,形成致密、均匀的氧化层;高质量的氧化层对铜的氧化物提供良好的润湿性能,是制备高可靠氮化铝DBC基板的前提,优化保温温度、时间、氧浓度等条件控制氧化层的厚度,最终得到剥离强度高、孔洞率低的氮化铝DBC基板。
张振文崔嵩詹俊许海仙
关键词:过渡层孔洞
大功率IGBT模块用氮化铝DBC基板技术研究
IGBT模块随着功率的不断增大,对DBC基板的导热性能提出了更高的要求,常规的氧化铝DBC已经不能满足导热要求,氧化铍由于加工过程有毒限制其推广应用,氮化铝DBC基板成为环保、高效、满足散热的新一代DBC基板.而铜氧化物...
张振文崔嵩詹俊许海仙
关键词:绝缘栅双极型晶体管氮化铝陶瓷润湿性能
一种蚀刻方法
本发明公开了一种蚀刻方法,包括以下步骤:清洗待蚀刻基板的表面后,在基板的上下表面均热压感光膜;设计蚀刻图形,其中,半蚀刻部分设计为透光线条和不透光线条间隔排列的栅格状结构,根据所述蚀刻图形光绘菲林膜后,将所述菲林膜贴合在...
张振文詹俊崔嵩许海仙史常东
文献传递
AlN粉体制备技术研究进展
2013年
直接氮化法和碳热还原法是现代规模化制备AlN陶瓷粉体的主要方法。本文结合最新研究成果,分析了这两大类A1N粉体制备方法的优缺点,探讨了今后A1N粉体制备技术发展需要解决的关键问题。
詹俊吴玉彪汤文明
关键词:碳热还原法
高导热AlN陶瓷低温烧结助剂的研究现状被引量:5
2013年
介绍了烧结AlN陶瓷的烧结助剂的选择原则以及几种单一烧结助剂和多元烧结助剂的低温助烧机理;讨论了烧结助剂的类型、添加方式、加入量等对AlN陶瓷力学、热学性能的影响;并对低温烧结高导热AlN陶瓷的发展趋势提出了一些看法。
吴玉彪詹俊张浩郭军刘俊永崔嵩汤文明
关键词:氮化铝陶瓷烧结助剂热导率
AlN陶瓷的低温烧结与组织结构优化
随着微电子技术的不断发展,电力电子系统高集成度导致功率密度的提高,器件工作时产生的热量增加,Al2O3等传统的陶瓷基板已经难以满足电子封装工业对基板越来越高的热耗散性能的要求。由于具有优良的导热、介电及力学性能,AlN陶...
詹俊
关键词:氮化铝陶瓷助烧剂电力电子系统
烧结温度对氮化铝陶瓷结构与性能的影响被引量:8
2015年
研究了烧结温度对Al N陶瓷致密度﹑晶粒尺寸及第二相的组成﹑含量及分布及其力学与热学性能的影响。结果表明,添加5 wt%Y2O3助烧剂的Al N陶瓷的第二相由YAG﹑YAM及YAP构成,且随着烧结温度的升高,其Y/Al比值由3/5向2/1变化,即由富铝氧化物向富钇氧化物转化,第二相在Al N陶瓷的三叉晶界处分布,提高Al N陶瓷的热导率及强度。1770℃烧结的Al N陶瓷综合性能最好。
张浩郭军党军杰詹俊耿春磊崔嵩汤文明
关键词:ALN陶瓷烧结温度显微结构
一种添加多元烧结助剂的AlN陶瓷低温烧结制备方法
本发明公开了一种添加多元烧结助剂的AlN陶瓷低温烧结制备方法,该方法以AlN粉体为原料,其中AlN粉的平均粒径为1.1-1.5μm,比表面积为2.8-3.2m<Sup>2</Sup>/g,在其中加入两种或以上稀土金属化合...
汤文明詹俊
文献传递
一种蚀刻方法
本发明公开了一种蚀刻方法,包括以下步骤:清洗待蚀刻基板的表面后,在基板的上下表面均热压感光膜;设计蚀刻图形,其中,半蚀刻部分设计为透光线条和不透光线条间隔排列的栅格状结构,根据所述蚀刻图形光绘菲林膜后,将所述菲林膜贴合在...
张振文詹俊崔嵩许海仙史常东
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