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蔡金宝

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇氮化镓
  • 4篇湿法腐蚀
  • 4篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 3篇高温
  • 3篇高温条件
  • 2篇氮化镓材料
  • 2篇氮化镓基材料
  • 2篇淀积
  • 2篇栅结构
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇槽栅
  • 1篇异质结
  • 1篇栅绝缘层
  • 1篇生物传感
  • 1篇生物传感器
  • 1篇湿法
  • 1篇湿法化学腐蚀
  • 1篇阈值电压

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇蔡金宝
  • 5篇王茂俊
  • 5篇刘洋
  • 5篇吴文刚
  • 5篇徐哲
  • 5篇王金延
  • 4篇谢冰
  • 1篇于民
  • 1篇解冰

年份

  • 2篇2016
  • 4篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法
本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面淀积保护层；在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；去除待做刻蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理...
徐哲王金延刘洋蔡金宝刘靖骞王茂俊谢冰吴文刚
文献传递
AlGaN/GaN异质结湿法腐蚀工艺开发和GaN基生物传感器的工艺研究
目前，AlGaN/GaN HFETs由于其在高功率、高频、高温电子器件应用领域有着巨大的应用潜力，成为了国内外研究的热点。但我们发现，由于GaN基材料具有极其稳定的物理、化学性质，尤其是具有强的键合能(8.92eV/at...
蔡金宝
关键词：湿法化学腐蚀生物传感器阈值电压
基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法
本发明提供一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，在该器件区域形成源漏端欧姆接触；淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶并光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽...
徐哲王金延刘洋蔡金宝刘靖骞王茂俊谢冰吴文刚
文献传递
一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法
本发明提供一种氮化镓基器件的湿法腐蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基器件表面淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶，并对待腐蚀区域进行光刻；刻蚀待腐蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基器件在高温条件下进行氧化处理；将氧化处理...
蔡金宝王金延刘洋徐哲王茂俊于民解冰吴文刚
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一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法
本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面淀积保护层；在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；去除待做刻蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理...
徐哲王金延刘洋蔡金宝刘靖骞王茂俊谢冰吴文刚
文献传递
基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法
本发明提供一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，在该器件区域形成源漏端欧姆接触；淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶并光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽...
徐哲王金延刘洋蔡金宝刘靖骞王茂俊谢冰吴文刚
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