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王茂俊

作品数：47 被引量：9H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划高等学校科技创新工程重大项目更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 7篇理学

主题

  • 12篇氮化镓
  • 10篇绝缘栅
  • 8篇异质结
  • 8篇刻蚀
  • 7篇肖特基
  • 7篇二维电子
  • 7篇二维电子气
  • 6篇增强型
  • 6篇湿法腐蚀
  • 6篇槽栅
  • 5篇电子器件
  • 5篇异质结材料
  • 5篇势垒
  • 5篇晶体管
  • 5篇二极管
  • 4篇电力
  • 4篇电力电子
  • 4篇电力电子器件
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇电阻

机构

  • 47篇北京大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 47篇王茂俊
  • 13篇吴文刚
  • 13篇郝一龙
  • 13篇王金延
  • 12篇沈波
  • 11篇陶明
  • 9篇徐哲
  • 9篇于民
  • 8篇许福军
  • 8篇杨志坚
  • 8篇张国义
  • 7篇谢冰
  • 6篇许谏
  • 6篇黄森
  • 5篇蔡金宝
  • 5篇刘洋
  • 5篇解冰
  • 4篇秦志新
  • 4篇王彦
  • 3篇孙辉

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇第十四届全国...
  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇物理学进展
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 3篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 9篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 6篇2007
  • 3篇2006
共 47 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文)
2006年
在低温和强磁场下,通过磁输运测量研究了不同Al组分调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到低Al组分异质结中的2DEG有较低的浓度和较高的迁移率.
唐宁沈波王茂俊杨志坚徐科张国义桂永胜朱博郭少令褚君浩
关键词：二维电子气输运性质
一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法
本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面淀积保护层；在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；去除待做刻蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理...
徐哲王金延刘洋蔡金宝刘靖骞王茂俊谢冰吴文刚
文献传递
SiNx钝化对Al×Ga1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响
AlGaN/GaN 异质结构是发展高温、高频、高功率电子器件的优选材料,研究 AlGaN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)的高温输运性质对于理解 AlGaN/GaN 异质结构的物理特性以及器件研制具有重要意义。
王茂俊沈波黄森许福军王彦许谏杨志坚秦志新张国义
关键词：二维电子气钝化
文献传递
GaN基异质结构的高温输运性质和MIS结构的电学性质
Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN宽禁带半导体异质结构体系是目前发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构，深受国际上的关注。因此，Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN异质结构材料与器件的研究已成为当前...
王茂俊
关键词：极化效应MIS结构电学性质
一种氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法
本专利提出一种优先制备器件深槽隔离的高可靠性氮化镓绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法。该方案的特点是在对外延片清洗处理后，直接制备深槽隔离，然后沉积栅介质和沉积较厚的护层介质。这样一方面实现了深槽隔离的平坦化，另一方面...
孙辉王茂俊陈建国陈东敏
文献传递
基于多二维沟道的增强型GaN FinFET
基于多二维沟道的增强型GaN FinFET，本发明属于微电子技术领域，涉及到GaN基电力电子器件的制作。其结构自下而上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、多层GaN/AlGaN层、刻蚀掩膜介质层，绝缘栅介质层和栅金属。在衬底...
王茂俊张川陶明郝一龙
文献传递
一种提高GaN HEMT钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术
本发明公开了一种提高氮化镓基电子器件表面钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术及实现方法，所述方法主要应用于在氮化镓基电子器件制备中，在常规钝化层淀积之前，利用臭氧、氧等离子体等强氧化剂对氮化镓表面进行氧化，然后再用盐酸去...
王茂俊林书勋陶明郝一龙
文献传递
一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法
一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法，本发明属于微电子技术领域，涉及GaN基电力电子器件制作。所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、InGaN层、GaN层、AlGaN层、掩膜介质层，绝缘栅介质层和...
王茂俊桑飞陶明郝一龙
文献传递
一种优化平面布局和结构的大电流氮化镓高电子迁移率晶体管
GaN高电子迁移率晶体管包含衬底、在衬底表面上形成的缓冲层，在缓冲层表面上形成的第一GaN层，在第一GaN沟道层表面上形成的AlGaN层、在AlGaN表面上沉积了栅介质层。二维电子气位于势垒层与沟道层的界面处的沟道层内。...
孙辉王茂俊陈建国陈东敏
文献传递
一种可变电容及其制作方法
本发明提供一种可变电容及其制作方法。该可变电容包括依次排列的高阻GaN层、高迁移率GaN层、AlGaN势垒层和金属层。该方法包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长高阻GaN层和高迁移率GaN层；在高迁移率GaN层上...
靳纯艳王金延方敏张波王茂俊于民解冰吴文刚
文献传递
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