范恒 作品数:9 被引量:24 H指数:1 供职机构: 中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 更多>>
GaAs数字电路输入输出接口电路的设计 1996年 本文讨论了GaAs电路和SiECL电路的输入输出接口问题,对GaAs电路中BFL、DCFL、SDFL等电路形式的典型输入输出接口电路进行了分析研究,用电路模拟程序计算并给出了BFL输入输出接口电路的转移特性曲线。 赵建龙 夏冠群 范恒 杨国洪关键词:砷化镓 接口电路 数字电路 砷化镓MESFET器件的电路模拟 被引量:1 1996年 鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性,本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法,并从理论上解决了该方法在迭代求解过程中存在的隐函数问题,以及解的唯一性问题。同时提出了加速求解的方法,在此基础上设计的软件可获得精确的器件模型参数。该软件与通用的SPICE3集成为一个针对GaAsMESFET器件的电路模拟系统。本文给出了该系统对不同的电路形式在不同的器件参数下的模拟结果,为我们的GaAs600门门阵列,四位同步计数器电路等课题的成功研制,发挥了重要的作用。 杨国洪 范恒 王碧娟 姚林声 雷少莉 夏冠群关键词:电路 砷化镓 MESFET器件 砷化镓单电源电路研究 1997年 本文对BFL单元电路进行了改进,首次提出一种新型的GaAs单电源单元电路,并研究了该单元电路与SiTTL电路的接口电路,实验结果表明该单元电路的设计是可行的,适合于制作中、小规模集成电路. 赵建龙 夏冠群 范恒 施健关键词:砷化镓 单元电路 大容量EPROM的随机图形测试方法 1989年 基于对EPROM读写特性和故障模型的分析,本文提出了采用随机测试图形的EPROM功能测试方法.这不仅可提高译码电路故障的检测率,而且能切实地反映出存贮单元状态间的耦合故障,比使用传统测试图形的功能测试具有更大的优越性.在微机上由线性反馈移位寄存器产生随机图形并采用快速编程技术成功地实现了用随机图形对EPROM进行测试. 范恒 须国宗 徐元森关键词:EPROM 高速光纤通信用定时恢复判决电路 2001年 对光纤通信用定时恢复判决电路进行了研究 ,设计了由 1μ m耗尽型 GaAs金属-半导体势 垒场效应晶体管 (MESFET)器件构成的判决电路和时钟提取电路。判决电路的基本单元为源耦合 场效应晶体管逻辑 (SCFL)电路 ,时钟提取电路由预处理器和锁相环构成。模拟分析表明 ,时钟提 取电路可从输入信号中提取判决电路所需的时钟脉冲 ,频率达 2.5GHz,判决电路可对输入信号进 行正确的" 0"、" 1"判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率达 2.5Gbit/s。实测电路 可正确判决 ,时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率达 2.5Gbit/s。 詹琰 王永生 赵建龙 夏冠群 孙晓玮 范恒关键词:GAAS MESFET 判决电路 高速光纤通信 基于砷化镓SDFL的单电源电路设计 1997年 本文在砷化镓SDFL单元电路基础上提出了一种新型的与SDFL工艺完全兼容的单电源单元电路,并对该电路进行了分析计算,得到了优化的尺寸,同时研究了开启电压Vth和电源电压VDD分别变化±10%时,电路传输特性曲线的变化情况,最后用实验结果证明了该电路设计的合理性. 赵建龙 夏冠群 范恒 汪东旭 赵大为关键词:半导体 砷化镓 单电源 砷化镓ASIC电路实用库的研究 1995年 本文提出了一种以GaAsMESFET双层金属布线工艺和SDFL电路形式为基础的GaAs600门门阵列基片的结构,阐述了实用GaAs单元库的设计准则和方法,并以全加器为例说明了宏单元库的电路形式、几何结构、内部布线及输入输出的考虑.实用GaAs门阵列设计系统已在COMPACAD工作站上建立,文中给出一个用该系统设计的应用实例. 杨国洪 范恒 王碧娟 夏冠群 章洪深 甘骏人 姚林声 凌雷关键词:专用集成电路 砷化镓 数据库 非接触式IC卡电源产生电路原理与设计 被引量:23 2000年 文中所述电源产生电路是针对非接触式 IC卡而设计 ,是卡内 RF接口电路的关键技术。它在卡的正常工作距离 ( <1 0 cm)内 ,对从读卡器耦合的电磁波信号进行整流、滤波、稳压 ,从中获得持续稳定的直流工作电源电压 ,以维持卡内电路正常工作需要。并采用 1 .2μm工艺模型 ,用Hspice对电路进行模拟 ,可以得到 3.5V的直流工作电源电压 ,成功解决了非接触式卡内没有电源系统 ,需要由读卡器通过无线方式供电的问题。 季颖 范恒关键词:非接触式IC卡 电源产生电路 接口电路 超高速单电源GaAs判决再生电路 2001年 设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 . 詹琰 王永生 赵建龙 夏冠群 孙晓玮 范恒关键词:光纤通信 电源 砷化镓