胡冬青
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：甘肃省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高被引量：1
- 2005年
- 分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一种新阳极造型.它有效利用了外延过程中在p-阳极区形成的轻掺杂n-层,在该层上进行条形p+重掺杂,为正向导通过程提供空穴注入,从而实现电导调制,降低通态压降.而未掺杂的透明阳极区则形成电流漏.实验表明,该结构不仅能有效增大阻断电压,同时利于关断过程积累电荷的抽取,加快关断时间,降低关断损耗.
- 胡冬青李思渊王永顺
- 关键词：阻断电压关断损耗
- 静电感应晶闸管的负阻转折特性被引量：1
- 2007年
- 针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后I-V特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.
- 唐莹刘肃李思渊胡冬青常鹏杨涛
- 关键词：SITH少子寿命
- 镜像法分析静电感应晶体管特性(英文)被引量：1
- 2005年
- 针对埋栅型静电感应晶体管 (SIT)提出一种柱栅模型 .用镜像法计算了器件内电势分布 ,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等 .结果表明 :沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子 ;栅效率随栅尺寸和位移栅压的减小而减小 ,并随位移栅压一起趋向于 0 ;在小电流情况下电压放大因子随电流的增大而增大 ,到一定数值后 ,电压放大因子趋于常数 .最后给出了SITI V特性解析表达式 ,它既适用于类三极管特性 (加大栅压下 )也适用于混合特性 (较小栅压下 ) ,且由此得到的I V特性曲线和实验符合较好 .
- 胡冬青李思渊王永顺
- 关键词：静电感应晶体管镜像法I-V特性
- 光纤光栅传感特性的研究被引量：1
- 2005年
- 通过对光纤光栅传感技术的研究,分析了光纤光栅的温度、应变传感特性,对光纤光栅的应变.温度传感特性进行了实验研究,论证了光纤光栅传感技术用于应变测量的可行性。
- 胡冬青
- 关键词：光纤光栅
- 微波高功率双介质栅静电感应晶体管(英文)被引量：3
- 2004年
- 提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术 .讨论了寄生栅源电容 Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响 .描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施 .成功地制造出频率在 4 0 0 MHz时输出功率大于 2 0 W、功率增益大于 7d B、漏效率大于 70 %和 70 0 MHz时输出功率大于 7W、功率增益大于 5 d B,漏效率大于 5 0
- 王永顺李思渊胡冬青
- 关键词：静电感应晶体管寄生电容
- 平面型埋栅结构的静电感应晶体管(英文)被引量：3
- 2004年
- 在表面栅和埋栅结构的基础上 ,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构 ,平面型埋栅结构 .用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压的埋栅结构 ,避免了工艺难度较大的二次外延和台面腐蚀工艺 .实验结果表明该结构可用于制造各种功率静电感应器件 ,其优点是具有高的击穿电压和高的阻断增益 ,并讨论了平面型埋栅结构的主要特点和制造工艺 .
- 王永顺李思渊胡冬青
- 关键词：静电感应晶体管阻断电压
- 多晶硅、单晶硅同步外延研究(英文)
- 2004年
- 介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延 .采用两步外延工艺 ,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数 α的影响 .硅烷流量大、初始诱生时间短 ,则单晶硅条宽 ,多晶硅横向蔓延弱 ,但外延层质量可能较差 .较优的条件是 :硅烷诱生生长流量为 13.1～ 17.5 sccm,正常生长流量为 7.0～ 7.88sccm,初始诱生时间为 30～ 5 0 s.温度影响较复杂 ,当温度低于 980℃时 ,单晶硅条宽随温度增加而增加 ,在 980℃附近达到最大 。
- 胡冬青李思渊王永顺
- 关键词：成核化学气相淀积
- 静电感应器件基本理论和制造技术的研究
- 本文是结合甘肃省十五科技攻关项目——电力静电感应器件的研制——而展开的，系统地阐述了静电感应器件的发展过程，分析比较了各种器件结构的优缺点，并与其它器件进行了简单比较。结合静电感应器件自身特点，进行了基本理论分析，结果表...
- 胡冬青
- 关键词：静电感应器件半导体器件电力半导体器件微电子学固体电子学
- 文献传递
- 具有混合I- V特性的静电感应晶体管的电性能(英文)被引量：1
- 2004年
- 研究了具有混合型 I- V特性的静电感应晶体管 ,提出了实现混合 I- V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系 .工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用 .讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子 β的作用 .研究结果对静电感应晶体管的设计和制造 ,特别对具有混合型 I- V特性的静电感应晶体管有实用价值 .
- 王永顺刘肃李思渊胡冬青
- 关键词：静电感应晶体管
- 电力静电感应晶闸管的特性和关键制造工艺研究
- 首先,该文对SITH小电流下的势垒控制理论进行了详细论述,并从理论上对影响阻断增益和阻断电压的因素进行了讨论.在此基础上,对电力SITH的结构设计、参数调节和关键制造工艺做了系统的分析,对结构参数、材料参数和工艺参数对器...
- 胡冬青
- 关键词：阻断电压
- 文献传递
