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杨涛

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金:甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇少子寿命
  • 1篇势垒
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基势垒
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶闸管
  • 1篇静电感应晶体...
  • 1篇静电感应晶闸...
  • 1篇SITH
  • 1篇槽栅

机构

  • 2篇兰州大学
  • 1篇兰州交通大学

作者

  • 2篇刘肃
  • 2篇杨涛
  • 2篇李思渊
  • 1篇李海蓉
  • 1篇王永顺
  • 1篇常鹏
  • 1篇胡冬青
  • 1篇唐莹

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
静电感应晶闸管的负阻转折特性被引量:1
2007年
针对静电感应晶闸管SITH在正向阻断态下加负栅压,当阳极电压增加到一定程度后I-V特性出现负阻转折的特性,以一种全新的角度,从SITH的作用机理出发,考虑双注入效应,考虑载流子寿命的变化,对负阻现象进行了物理分析,并计算了负阻转折电压和转折电流.
唐莹刘肃李思渊胡冬青常鹏杨涛
关键词:SITH少子寿命
槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管
2008年
传统的静电感应晶体管多采用扩硼的方法制备栅极区,这种工艺热预算较高,使得工艺复杂程度和生产成本较高,基于此提出并设计了一种新型的槽栅型肖特基势垒静电感应晶体管。使用V形槽工艺,用溅射铝的方法代替扩硼工艺制备静电感应晶体管的栅极区,简化了工艺流程,使器件在调试过程中具有很大灵活性。使用PECVD(等离子体增强化学气相淀积)工艺,解决了槽栅结构静电感应晶体管的栅极区与源极区容易短路的问题。给出了详细的工艺流程。
杨涛刘肃李思渊王永顺李海蓉
关键词:静电感应晶体管肖特基势垒
共1页<1>
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