王晓晖
- 作品数：59 被引量：105H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响被引量：6
- 2005年
- 本文研究了低温GaN(LTGaN)缓冲层表面形貌,其随厚度的变化规律及对随后生长GaN外延膜各项性能的影响。用场发射扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)研究LTGaN缓冲层表面形貌,发现随着厚度的增加,其表面由疏松、粗糙变得致密、平整,六角GaN小晶粒的数量减少,且取向较为一致。用X光双晶衍射(XRD)、AFM和Hall测量研究1μm厚本征GaN外延薄膜的结晶质量、表面粗糙度、背底载流子浓度和迁移率等性能,发现随着LTGaN缓冲层厚度的增加:XRD的半高宽FWHMs增大,表面粗糙度先减小后又略有增大,背底载流子浓度则随之减少,而迁移率的变化则不明显。通过分析进一步确认LTGaN缓冲层的最优生长时间。
- 吴洁君韩修训李杰民黎大兵魏宏远康亭亭王晓晖刘祥林王占国
- 关键词：GAN蓝宝石衬底MOCVD
- 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
- 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件，包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层；在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口；在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型...
- 陆大成王晓晖姚文卿刘祥林
- 文献传递
- 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法
- 一种砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法，包括如下步骤：顶电池以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；在顶电池的外延片的砷化镓层上面制作正电极；在外...
- 陈诺夫白一鸣梁平王晓晖
- 文献传递
- 一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔
- 本公开提供一种一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔，包括：金属基板，为单晶金属制成；多个介质块，设置于所述金属基板表面，所述多个介质块高度相同且沿直线排列构成纳米颗粒链结构；通过改变所述多个介质块的设置参数以提高增益。
- 刘晶康亚茹彭轩然李兆峰颜伟刘孔王晓晖毛旭杨富华
- 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
- 一种铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法,其是在氮化镓/蓝宝石复合衬底上、或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上,用快速填埋方法生长铟镓氮薄膜,其特征在于,快速填埋方法是:采用较大的有机源流量将铟埋入正在生长的氮化镓薄膜中,以阻...
- 韩培德刘祥林王晓晖陆大成
- 文献传递
- 三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。
- 陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国
- 关键词：GAN缓冲层MOVPE
- MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光被引量：1
- 1996年
- 用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长速率和适当的生长中断时间有利于改善ＰＬ半峰宽．
- 董建荣陆大成汪度王晓晖刘祥林王占国
- 关键词：ALGAASGAAS量子阱结构光致发光
- 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
- 2001年
- 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
- 袁海荣陈振陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度
- 关键词：GAN外延层
- 氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文)被引量：1
- 2001年
- 用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当衬底表面是背籽晶面时 ,生长的氮化镓薄膜则为 ( 0 0 0 1 )取向。
- 韩培德刘祥林王晓晖汪度陆大成王占国
- 关键词：MOVPE
- 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
- 2001年
- 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
- 袁海荣陈振陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度
- 关键词：GAN外延层
