汪度
- 作品数：35 被引量：77H指数：6
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程化学工程更多>>
- P型GaN和AlGaN外延材料的制备被引量：1
- 2000年
- 研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。得到了性能优良的P型材料 ,并研制了InGaN/AlGaN双异质结蓝光发光二极管。
- 刘祥林王成新韩培德陆大成王晓晖汪度王良臣
- 关键词：P型GANALGAN双异质结蓝光发光二极管
- 铟镓氮薄膜的光电特性被引量：5
- 2002年
- 用金属有机物气相外延设备 ,在氮化镓 /蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜 ,并对其进行了 X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试 .确定该薄膜为单晶 ,其中 In组分可以从 0增加到 0 .2 6 ;在光致激发下发光光谱为单峰 ,且峰值波长在 36 0～ 5 5 5 nm范围内可调 ;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合 ;并具有很高的电子浓度 .但 In Ga N薄膜的结晶质量却随着
- 韩培德刘祥林王晓晖袁海荣陈振李昱峰陆沅汪度陆大成王占国
- 关键词：MOVPE光电特性
- 高纯氮化镓外延材料的制备被引量：1
- 1998年
- 用ＭＯＶＰＥ方法在蓝宝石衬底上生长了高纯氮化镓（ＧａＮ）外延材料。未掺杂ＧａＮ显ｎ型，室温下（３００Ｋ）背景电子浓度为１．６×１０１７ｃｍ－３，电子迁移率为３６０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。在１９５Ｋ附近电子迁移率达到峰值，为４９０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。发现了该材料中存在深施主能级，其离化能约为３８ｍｅＶ。
- 刘祥林王晓晖汪度汪连山王成新韩培德陆大成林兰英
- 关键词：高纯MOVPE氮化镓
- 三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)被引量：1
- 2001年
- 采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。
- 陈振袁海荣陆大成王晓晖刘祥林韩培德汪度王占国
- 关键词：GAN缓冲层MOVPE
- MOVPE生长Al_（0．35）Ga_（0．65）As／GaAs量子阱结构的光致发光被引量：1
- 1996年
- 用常压ＭＯＶＰＥ系统，采用ＡｓＨ３、国产ＴＭＧａ和ＴＭＡＩ生长了ＡＩ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构．在１１Ｋ下，宽度为１０Ａ的阱ＰＬ半峰竞最窄为１２ｍｅＶ，表明量子阱结构具有陡峭的界面．光致发光（ＰＬ）测试结果显示，较低的生长速率和适当的生长中断时间有利于改善ＰＬ半峰宽．
- 董建荣陆大成汪度王晓晖刘祥林王占国
- 关键词：ALGAASGAAS量子阱结构光致发光
- 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
- 2001年
- 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
- 袁海荣陈振陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度
- 关键词：GAN外延层
- 氮化镓/蓝宝石异质结构中极性的研究(英文)被引量：1
- 2001年
- 用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜 ,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究。发现当衬底表面是向籽晶面时 ,生长的六方相氮化镓薄膜为 ( 0 0 0 1 )取向 ,而当衬底表面是背籽晶面时 ,生长的氮化镓薄膜则为 ( 0 0 0 1 )取向。
- 韩培德刘祥林王晓晖汪度陆大成王占国
- 关键词：MOVPE
- 在GaN生长初期形貌发展的观察(英文)
- 2001年
- 报道了对GaN在生长初期形貌发展的观察和形貌的高度分布演化。形貌观察发现GaN外延层由分离的岛转化为连续的膜 ,形貌的发展显示GaN经历了横向生长的阶段。利用原子力显微镜有数字化记录的特点 ,从形貌的观察中也得到了外延层高度分布 ,发现高度分布可用单峰或多峰高斯分布拟合。通过与形貌特征的对比 ,发现宽而且不对称的分布对应着岛状的外延层形貌 ,可以用多峰高斯分布拟和 ;窄而且对称的分布则对应着比较连续的膜 ,可以用单峰高斯分布拟和。
- 袁海荣陈振陆大成刘祥林韩培德王晓晖汪度
- 关键词：GAN外延层
- 国产金属有机化合物TMGa、TMAl、TMIn和TMSb的MOVPE鉴定
- 1994年
- 利用我们研制的常压ＭＯＶＰＥ设备对国产ＴＭＧａ、ＴＭＡｌ、ＴＭＩｎ和ＴＭＳｂ进行了鉴定，为此分别生长了ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＳｂ外延层和ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ、ＧａＳｂ／ＩｎＧａＳｂ超晶格和ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构。表征材料纯度的７７Ｋ载流予迁移率分别达到ＧａＡｓ：μ＿ｎ＝５６６００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，Ａｌ＿（０．２５）Ｇａ＿（０．７５）Ａｓ：μ＿ｎ＝５１６０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＩｎＰ：μ＿ｎ＝６５３００ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，ＧａＳｂ：μ＿ｐ＝５０７６ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。由１０个周期的ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格结构组成的可见光区布拉格反射器已观测到很好的反射光谱和双晶Ｘ射线回摆曲线上高达±２０级的卫星峰。ＧａＡｓ／Ａｌ＿（０．３５）Ｇａ＿（０．６５）Ａｓ量子阱最小阱宽为１０，在ｌｉＫ下由量子尺寸效应导致的光致发光峰能量移动为３９０ｍｅＶ，其线宽为１２ｍｅＶ。这些结果表明上述金属有机化合物已达到较高质量。
- 陆大成汪度刘祥林王晓晖董建荣
- 关键词：金属有机物气相外延晶格
- InGaN量子点的诱导生长和发光特性研究被引量：2
- 2003年
- 降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上。在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,在高温GaN表面生长了一层低温岛状GaN,形成表面形貌的起伏,进而导致表面应力的不均匀分布。在这一层低温岛状GaN的诱导性作用下生长并形成InGaN量子点。通过原子力显微镜、透射电子显微镜和光致发光谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究。从原子力显微镜以及透射电子显微镜观察得到的结果表明:InGaN量子点为平均直径约30nm、高度约25nm、分布较均匀的圆锥,其密度约1011cm-2。室温下,InGaN量子点材料的PL谱强度大大超出相同条件生长的InGaN薄膜材料。这些现象表明,用InGaN量子点代替普通InGaN薄膜,有望获得发光效率更高的GaN基发光器件。
- 李昱峰韩培德陈振黎大兵王占国刘祥林陆大成王晓晖汪度
- 关键词：INGAN发光特性微观形貌
