潘金辉
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 硅脉冲双极型微波功率管参数退化探索被引量：1
- 2009年
- 首先提出了硅脉冲双极型微波功率晶体等在应用中会出现功率增益、饱和压降以及EB结反向击穿电压参数的退化现象,并对此进行了研究探索。测试了良品和失效品EB结的正向特性和C-V特性,通过比较分析两者的区别,从理论推导并得出了退化的一大原因是由于基区浓度值的减小以及浓度梯度降低的结论。分析表明,导致基区浓度发生变化的原因是器件长期工作在高温下而发生了杂质再扩散。
- 潘金辉来萍李斌廖超
- 关键词：微波功率晶体管功率增益饱和压降击穿电压
- SOI CMOS器件ESD特性研究
- SOI技术是集成电路进入亚微米和深亚微米级后能突破体硅材料和硅集成电路限制的新型集成电路技术。随着超大规模集成电路的快速发展，SOI技术也日益成熟，SOI集成电路的ESD保护已经成为一个主要的可靠性设计问题。本文主要针对...
- 潘金辉
- 关键词：大规模集成电路栅结构亚微米级硅集成电路
- 文献传递
- 半导体器件模拟技术及软件发展与现状
- 随着半导体集成电路的高速发展,器件结构日趋复杂,设计难度不断加大,计算机模拟技术因其强大的模拟仿真能力,时间成本的优越性,正扮演着越越来越重要的角色。本文着重介绍了从一维到三维,从微米级到纳米级器件模拟技术的发展,并结合...
- 潘金辉来萍李斌
- 关键词：集成电路芯片设计应用软件
- 文献传递
- 栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响被引量：2
- 2010年
- 采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。
- 恩云飞何玉娟罗宏伟潘金辉肖庆中
- 关键词：静电保护绝缘层上硅
