肖庆中
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 供职机构：电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 集成电路ESD设计验证技术被引量：3
- 2008年
- 传输线脉冲(TLP)测试是当前电路设计工程师研究ESD保护器件特性和进行ESD加固设计的有力工具。分析了ESD应力作用下MOSFET的工作原理,指出精确测试保护器件或电路在ESD大电流应力下的I-V特性曲线,提取特征参数,将有利于ESD加固设计的一次成功;通过对典型TLP测试波形的分析,将TLP试验与器件的大电流响应建立联系;最后对扩散电阻和nMOSFET的TLP典型I-V特性进行了分析,并给出了实际的设计参数。
- 罗宏伟肖庆中路香香石晓峰
- 关键词：集成电路
- 栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响被引量：2
- 2010年
- 采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。
- 恩云飞何玉娟罗宏伟潘金辉肖庆中
- 关键词：静电保护绝缘层上硅
