杜金玉
- 作品数：52 被引量：68H指数：4
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术水利工程更多>>
- 高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法
- 一种高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法，属于半导体光电子技术领域，其特征是发光二极管中的发光区由多个重复排列的单元大发光区构成，每一个单元大发光区包括前级发光区和后级发光区以及位于前后两级发光区之间的P<Sup>+...
- 沈光地高国陈昌华郭伟玲陈良惠马骁宇杜金玉周静邹德恕陈建新王学忠董欣
- 文献传递
- SiGe/SiHBT及逆向制造方法被引量：2
- 1997年
- 叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法
- 邹德恕陈建新沈光地高国杜金玉张时明袁颖
- 关键词：锗化硅硅HBT双极晶体管
- 量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究被引量：7
- 2002年
- 小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后 ,其 P- I特性曲线可能偏离理想的线性区 ,出现扭折现象 ,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计 ,采用较窄的有源区 ,在 MOCVD结构生长中用碳作 P型掺杂 ,制造出来的未镀膜激光器在 10 0 m A注入电流下输出光功率 5 0 m W未出现 P- I特性的扭折。
- 邹德恕廉鹏徐晨崔碧峰杜金玉张丽刘莹李建军沈光地
- 关键词：半导体激光器阈值电流
- SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究被引量：2
- 1998年
- 介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
- 邹德恕高国陈建新沈光地张京燕杜金玉邓军
- 关键词：离子注入自对准半导体器件
- 圆形台面中的AlAs/AlGaAs湿法氧化动力学规律研究
- AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步.利用此项技术形成的氧化孔可实现器件的横向光、电限制,大大提高了器件的性能.氧化孔的大小会直接影响到器件的各个特性参数,必须实现精确控制...
- 董立闽郭霞渠红伟邓军杜金玉邹德恕沈光地
- 关键词：VCSELALGAAS湿法氧化动力学模型
- 文献传递
- 隧道带间耦合级联新型激光器扩展电流的优化被引量：2
- 2001年
- 隧道带间耦合级联激光器采用 C掺杂生长隧道结 ,由于高浓度 C掺杂层在激光器多个有源区之间分布形成了高电导层 ,增加了注入电流的横向扩展 ,使激光器的性能不能充分发挥出来。我们利用双面电极新型结构可以很好地克服横向电流扩展 ,使级联的激光器保证充分的光输出功率。具体是在常规激光器背面衬底做完全与正面电极相同而对中的电极。当加入电场后 ,使电场完全集中在这两个相对中的电极之间 ,使激光器注入的电流从正面电极完全不扩展地流入到背面衬底电极 ,保证每个有源区都注入相同的电流而保证每个有源区充分的光输出。对 4个有源区级联的激光器光输出功率较常规电极提高 70 %以上 ,输出光功率从 1.6 W提高到 2 .4W,斜率效率提高 70
- 邹德恕崔碧峰李建军廉鹏徐晨韩金茹刘莹杜金玉张丽高国沈光地
- 关键词：碳掺杂隧道结构
- 基区杂质外扩对SiGe/Si HBT低温特性的影响被引量：2
- 1998年
- ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。
- 邹德恕高国陈建新杜金玉张京燕沈光地邓军赵贞勇黄绮周钧铭
- 关键词：HBT锗化硅硅
- 980nm垂直腔面发射激光器的研制
- 2005年
- 采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激光器(VCSEL).通过制备不同氧化孔径尺寸的VCSEL,分析了氧化孔径尺寸大小对器件的阈值电流和串联电阻的影响.获得的最小阈值电流为0.8mA,最大光输出功率达8mW.
- 郭霞董立闽渠红伟达小丽杜金玉邓军沈光地
- 关键词：垂直腔面发射激光器
- 一种优化设计的高频高压电力半导体器件被引量：8
- 1996年
- 介绍一种优化设计的静电屏蔽晶体管（ＧＡＴ）的结构、工作原理。通过采用网格版图设计，加场限环，使器件具有更好的高耐压、高频率、快速开关和宽的安全工作区等良好性能。
- 邹德恕亢宝位杜金玉王东风高国王敬元
- 关键词：栅极半导体器件
- n－pin结构半导体发光二极管
- n－pin结构的发光二极管，属于半导体光电子领域。针对现有技术中红色发光二极管制备方法生产成本高，且在进行二次外延时界面会引起问题，蓝色发光二极管方法制备的电流扩展层大大降低了器件的亮度，而且没有得到良好的电流扩展效应。...
- 郭霞沈光地邓军邹德恕徐遵图李建军刘莹杜金玉
- 文献传递
