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杜小锋

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 2篇等离子体
  • 2篇低温等离子体
  • 2篇低温退火
  • 2篇电路
  • 2篇退火
  • 2篇缺陷层
  • 2篇热导率
  • 2篇相变材料
  • 2篇相变存储
  • 2篇相变存储器
  • 2篇互连
  • 2篇互连线
  • 2篇化学机械抛光
  • 2篇机械抛光
  • 2篇集成电路
  • 2篇键合
  • 2篇键合强度
  • 2篇功耗
  • 2篇过渡层
  • 2篇存储器

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇杜小锋
  • 4篇宋志棠
  • 4篇刘卫丽
  • 4篇马小波
  • 2篇张挺
  • 2篇刘旭焱

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法
本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层...
杜小锋马小波宋志棠刘卫丽
一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法
本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的...
马小波张挺刘卫丽宋志棠刘旭焱杜小锋
文献传递
一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法
本发明涉及一种降低相变存储器功耗的单元结构及其制备方法，该单元结构包括集成电路衬底、位于集成电路衬底上的第一绝缘介质层、被第一绝缘介质层包围并与集成电路衬底连接的驱动二极管、被第一绝缘介质层包围并位于驱动二极管上的过渡层...
杜小锋马小波宋志棠刘卫丽
文献传递
一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法
本发明涉及一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法，采用低温等离子体活化键合，将已制备外围电路或电极的衬底晶圆与已制备二极管结构层和缺陷层的晶圆键合，利用不高于400℃的低温退火增强键合强度，同时将具有二极管结构层的...
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