李秀宇
- 作品数：14 被引量：5H指数：1
- 供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
- 发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 一种快速确定微电子器件寿命分布及失效率的新方法
- 提出一种快速确定微电子器件失效率及寿命分布的新方法,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,确定微电子器件的寿命分布,并据此建立了相应的计算失效率模型。
- 李秀宇郭春生刘鹏飞杨玥李志国
- 关键词：激活能失效率微电子器件
- 文献传递
- 基于序进应力加速试验评价器件失效率的新方法
- 基于对序进应力加速寿命试验的研究,提出了一种快速确定半导体器件失效率及寿命分布的新方法.新方法将序进应力加速试验应用于失效率评价中,在计算失效激活能并外推寿命的基础上,确定微电子器件的寿命分布及相应的失效率.并以样品3D...
- 郭春生李秀宇马卫东谢雪松刘鹏飞李志国
- 关键词：半导体器件失效率微电子器件
- 文献传递
- 快速评价半导体器件可靠性的新方法
- 当前常规的寿命试验方法已经不能适应半导体器件快速发展的步伐，针对这一现状，本文基于序进应力加速寿命试验的研究，提出了一种新的快速评价半导体器件可靠性的方法一恒定电应力的温度斜坡法CETRM(Constant Electr...
- 李秀宇
- 关键词：误差分析半导体器件
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- VLSI/ULSI中金属化系统的蓄水池效应
- 对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12种不同的蓄水池结构,进行了电迁移和应力迁徙实验;研究了蓄水池面积、通孔位置、数目及...
- 李志国李秀宇朱春节郭春生吴月花
- 关键词：VLSIULSI金属化系统金属离子电迁移
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- 1/f噪声源与其在半导体可靠性评估中的应用
- 1/f噪声,由于其能够反映器件的质量与可靠性参数,其研究受到重视。本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:迁移率涨落模型和载流子涨落模型,最后介绍了几个1/f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例。
- 刘鹏飞郭春生李秀宇李志国
- 文献传递
- 多层金属化系统中的蓄水池效应
- 本文对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大.本文中设计了12种不同的蓄水池结构,进行电迁移实验.考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响.得出蓄水池的面积是影响...
- 李秀宇吴月花郭春生刘鹏飞
- 关键词：电迁移互连线
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- 多层金属化系统中的蓄水池效应被引量：1
- 2007年
- 对于W通孔多层金属化系统来说,金属离子蓄水池效应对其电迁移寿命的影响很大。设计了12种不同的蓄水池结构,并进行电迁移实验;考察了蓄水池面积、通孔位置、数目及大小等对互连线的电迁移寿命的影响,得出蓄水池的面积是影响电迁移寿命的主要因素。
- 李秀宇吴月花李志国郭春生刘朋飞朱春节
- 关键词：互连线电迁移
- 不同钝化层对硅基铝金属膜应力影响的研究被引量：1
- 2007年
- 采用光偏振相移干涉原理测量了硅基上不同钝化层下铝膜应力的变化。研究表明:不同的钝化层对铝膜的应力影响不同。SiO2钝化层下的铝膜应力最小,而钝化层为聚酰亚胺的铝膜应力最大。200℃下退火4 h后,应力减小明显,且分布趋向均匀。同时采用有限元法对不同钝化层的铝膜进行了应力模拟,模拟结果与实验结果相符。
- 李秀宇吴月花李志国付厚奎
- 关键词：钝化层应力
- 小规模CMOS集成电路可靠性快速评价新方法的研究
- CMOS集成电路由于自身的优秀的性能,已经广泛的应用在各个领域,伴随着电子产品功能的不断增强,集成电路复杂程度的逐步提高,其质量和可靠性也成为人们普遍关注的焦点.本文对CMOS集成电路可靠性评价技术进行了探索,改进了一种...
- 刘鹏飞郭春生李秀宇李志国
- 关键词：CMOS集成电路激活能
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- 1/f噪声源与其在半导体器件可靠性评估中的应用
- 2008年
- 1/f噪声,由于其能够反映器件的质量与可靠性参数,其研究受到重视。本文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:迁移率涨落模型和载流子涨落模型,最后介绍了几个1/f噪声与半导体器件参数漂移相关的实例。
- 郭春生刘鹏飞李秀宇李志国
