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朱玄

作品数：10 被引量：3H指数：1
供职机构：国防科学技术大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇电阻
  • 5篇容错
  • 5篇存储阵列
  • 4篇电阻开关
  • 4篇容错能力
  • 4篇非易失性
  • 3篇电流
  • 3篇电路
  • 3篇电压极
  • 3篇电压极性
  • 3篇工作电流
  • 2篇地址译码
  • 2篇地址译码器
  • 2篇电压模式
  • 2篇电阻值
  • 2篇氧化率
  • 2篇运算放大器
  • 2篇运算放大器电...
  • 2篇神经网
  • 2篇神经网络

机构

  • 10篇国防科学技术...

作者

  • 10篇朱玄
  • 4篇周静
  • 4篇池雅庆
  • 4篇方粮
  • 4篇杨学军
  • 4篇张超
  • 4篇吴俊杰
  • 4篇孙鹤
  • 4篇仲海钦
  • 4篇黄达
  • 4篇唐玉华
  • 4篇方旭东
  • 2篇王之元
  • 2篇易勋

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种非易失性存储阵列及其制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列及其制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。非易失性存储阵列由上电极、存储介质层、下电极组成，存储介质层位于下电极与上电极之间；上电极和下电极均为线状且呈十字交叉...
方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
基于忆阻器的存储加密体系结构技术
存储器是保存数据的载体，是保护数据的最后一道屏障。安全存储对于信息安全意义重大。传统安全存储技术所面临的问题的根源在于存储器与处理器的分离。作为一种新型的纳米电子器件，忆阻器的发现和研究为融合存储与运算两种功能提供了可能...
朱玄
关键词：数据存储信息安全
文献传递
基于忆阻器的汉明网电路
本发明公开了一种基于忆阻器的汉明网电路，要解决的技术问题是提出一种基于忆阻器的汉明网电路，具有简单的电路结构和较高的存储密度，并且非易失地存储样例模式，适于大规模神经网络应用。技术方案是本发明由编程电路、纳米交叉杆、运算...
杨学军朱玄吴俊杰唐玉华王之元周静方旭东黄达
文献传递
一种非易失性存储阵列
本发明公开了一种非易失性存储阵列，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。非易失性存储阵列由上电极、存储介质层、下电极组成，存储介质层位于下电极与上电极之间；上电极和下电极均为线状且呈十字交叉状，交叉处为...
方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
文献传递
基于纳米交叉结构的阻变存储阵列与寻址部件研究
在过去几十年里,CMOS工艺不断取得突破,然而其特征尺寸的进一步缩小面临着越来越严峻的挑战。与此同时,从上世纪90年代起,纳米科技的发展取得了许多令人瞩目的成果,尤其是纳米电子学的迅速发展,有望从新的角度给集成电路的发展...
朱玄
关键词：纳米电子学多路复用器容错蒙特卡洛模拟
面向纳米交叉杆结构的多值忆阻器自适应编程电路及方法
本发明公开了一种面向纳米交叉杆结构的多值忆阻器自适应编程电路及方法，目的是解决忆阻器多值编程的精度问题并提高编程的效率。该编程电路由纳米交叉杆和N个反馈控制单元组成，纳米交叉杆中包含M条横向纳米线、N条纵向纳米线及M×N...
朱玄杨学军吴俊杰唐玉华易勋周静方旭东黄达
文献传递
面向纳米交叉杆结构的多值忆阻器自适应编程电路及方法
本发明公开了一种面向纳米交叉杆结构的多值忆阻器自适应编程电路及方法，目的是解决忆阻器多值编程的精度问题并提高编程的效率。该编程电路由纳米交叉杆和N个反馈控制单元组成，纳米交叉杆中包含M条横向纳米线、N条纵向纳米线及M×N...
朱玄杨学军吴俊杰唐玉华易勋周静方旭东黄达
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一种非易失性存储阵列制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。技术方案是先制备下电极，接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层，再制备上电极，最后配置电阻开关单元的电压极性。本...
方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
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基于忆阻器的汉明网电路
本发明公开了一种基于忆阻器的汉明网电路，要解决的技术问题是提出一种基于忆阻器的汉明网电路，具有简单的电路结构和较高的存储密度，并且非易失地存储样例模式，适于大规模神经网络应用。技术方案是本发明由编程电路、纳米交叉杆、运算...
杨学军朱玄吴俊杰唐玉华王之元周静方旭东黄达
一种非易失性存储阵列制备方法
本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。技术方案是先制备下电极，接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层，再制备上电极，最后配置电阻开关单元的电压极性。本...
方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
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