仲海钦
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法，解决目前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序和量子点隔离性能差的问题。技术方案是基于有序介孔的单电子晶体管由衬底、源极、漏极、栅极、有序介孔层和绝缘层组成，有...
- 池雅庆张学骜仲海钦方粮常胜利贾红辉隋兵才周海亮孙鹤张超杨学军王正明唐玉华
- 文献传递
- 一种非易失性存储阵列
- 本发明公开了一种非易失性存储阵列，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。非易失性存储阵列由上电极、存储介质层、下电极组成，存储介质层位于下电极与上电极之间；上电极和下电极均为线状且呈十字交叉状，交叉处为...
- 方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
- 文献传递
- 室温单电子晶体管制备进展
- 2010年
- 单电子晶体管由于其纳米级的器件尺寸和超低功耗等优点被广泛认为是当前最有应用前景的纳米电子器件之一,实现室温下的正常工作和器件结构的精确控制是其实用化的关键。室温单电子晶体管的主流制备方法为自顶向下工艺和自底向上工艺。自顶向下工艺便于器件集成,但纳米尺度下的制备工艺误差较大,室温单电子晶体管的性质难以稳定;自底向上工艺能够比较容易地制备出室温单电子晶体管,但同样有耦合结构误差较大的问题。在结合自顶向下工艺和自底向上工艺的基础上,引进纳米结构制备的新技术来提高工艺过程的可控性,是下一步室温单电子晶体管制备的研究重点。
- 池雅庆仲海钦隋兵才张超方粮
- 一种非易失性存储阵列及其制备方法
- 本发明公开了一种非易失性存储阵列及其制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。非易失性存储阵列由上电极、存储介质层、下电极组成，存储介质层位于下电极与上电极之间；上电极和下电极均为线状且呈十字交叉...
- 方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
- 有序介孔薄膜单电子晶体管制备与建模
- 随着集成电路制造工艺逐步迈入纳米尺度,对于纳米加工技术和纳米电子器件的研究成为一个前沿热点。实现纳米电子器件有“自上而下”和“自下而上”两种路线,前者可以充分利用现有的微电子的工艺,后者则用化学或生物的自组装等方法来构造...
- 仲海钦
- 关键词：单电子晶体管宏模型纳米电子器件
- 介孔二氧化硅薄膜组装金量子点阵列的研究
- 量子点阵列的制备是下一代纳米电子器件的关键技术之一.借助自组织生长的氨基功能化有序纳米SiO2介孔薄膜,制备了孔径约为3.2nm的金量子点阵列.HRTEM图片显示该阵列具有良好的有序性,紫外-可见吸收光谱表明了该量子点阵...
- 仲海钦池雅庆孙鹤方粮
- 关键词：介孔薄膜单电子器件
- 一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种基于有序介孔的单电子晶体管及其制备方法，解决目前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序和量子点隔离性能差的问题。技术方案是基于有序介孔的单电子晶体管由衬底、源极、漏极、栅极、有序介孔层和绝缘层组成，有...
- 池雅庆张学骜仲海钦方粮常胜利贾红辉隋兵才周海亮孙鹤张超杨学军王正明唐玉华
- 文献传递
- 一种非易失性存储阵列制备方法
- 本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。技术方案是先制备下电极，接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层，再制备上电极，最后配置电阻开关单元的电压极性。本...
- 方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
- 文献传递
- TiO2薄膜电阻开关特性研究
- 采用电子束蒸发的方法制备出不同厚度的TiO2薄膜,通过研究Pt/TiO2/Pt三明治结构的双极性电阻开关特性,发现电阻开关比和开关阈值电压与中间功能层厚度有密切的关系.该器件表现出良好的非易失性存储特性和可配置开关特性,...
- 孙鹤仲海钦张超方粮
- 关键词：TIO2电阻开关双极性
- 一种非易失性存储阵列制备方法
- 本发明公开了一种非易失性存储阵列制备方法，目的是使得存储阵列开关电阻比高，制备工艺简单，性价比高。技术方案是先制备下电极，接着采用氧气气氛中电子束蒸镀的方法制备存储介质层，再制备上电极，最后配置电阻开关单元的电压极性。本...
- 方粮孙鹤池雅庆朱玄仲海钦张超
