朱大鹏
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响
- 2008年
- 在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层厚度与氧化电压有关.底层Ta-N薄膜电阻率和电阻温度系数基本保持不变,表层氧化凸起使电阻稳定性增加.
- 朱大鹏罗乐
- 关键词：阳极氧化电学性能显微结构
- 圆片级气密封装及通孔垂直互连研究被引量：3
- 2006年
- 提出了一种新颖的圆片级气密封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术:KOH腐蚀和DR IE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺相匹配,并在圆片级的基础上完成,可实现互连密度200/cm2的垂直通孔密度。该结构在降低封装成本,提高封装密度的同时可有效地保护MEMS器件不受损伤。实验还对结构的键合强度和气密性进行了研究。初步实验表明,该结构能够满足M IL-STD对封装结构气密性的要求,同时其焊层键合强度可达8MPa以上。本工作初步在工艺方面实现了该封装结构,为进一步的实用化研究奠定了基础。
- 王玉传朱大鹏许薇罗乐
- 关键词：电镀
- 阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法
- 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后...
- 朱大鹏王立春罗乐
- 文献传递
- 铝阳极氧化高密度MCM-D基板及倒装焊点可靠性研究
- 本文结合计算机、航空、航天和通讯等领域对电子系统封装小型化、高密度、高性能和高可靠性等方面的迫切要求，以铝阳极氧化高密度MCM-D基板为研究对象，从基板制备、无源电阻的埋置、基板电迁移性能和表贴倒装焊点可靠性等方面对铝阳...
- 朱大鹏
- 微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性被引量：4
- 2008年
- 用电镀法制备了尺寸小于100μm的面阵列Sn-3.0Ag凸点.芯片内凸点的高度一致性约1.42%,Φ100mm硅圆片内的高度一致性约3.57%,Ag元素在凸点中分布均匀.研究了不同回流次数下SnAg/Cu的界面反应和孔洞形成机理,及其对凸点连接可靠性的影响.回流过程中SnAg与Cu之间Cu6Sn5相的生长与奥氏熟化过程相似.SnAg/Cu6Sn5界面中孔洞形成的主要原因是相转变过程中发生的体积缩减.凸点的剪切强度随着回流次数的增多而增大,且多次回流后SnAg/Cu界面仍然结合牢固.Cu6Sn5/Cu平直界面中形成的孔洞对凸点的长期可靠性构成威胁.
- 林小芹朱大鹏罗乐
- 关键词：SNAG凸点金属间化合物孔洞可靠性
- 阳极氧化工艺控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的方法
- 本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后...
- 朱大鹏王立春罗乐
- 文献传递
- 多孔型氧化铝薄膜在高密度封装中的应用及性能
- 2007年
- 利用铝阳极氧化方法对微晶玻璃基板上的多层铝膜进行选择性氧化,制备了4层布线的高密度MCM-D基板,对氧化得到的多孔型氧化铝介质膜的绝缘及介电性能进行了研究。实验结果表明:多层布线铝与氧化铝结合性好,层间和同层多孔氧化铝绝缘电阻分别达到10~9Ω和10^(11)Ω以上;多孔型氧化铝的相对介电常数和损耗分别为5.73和0.022(1 MHz);导带、互连通孔与绝缘层所形成的层间通孔互连结构共面性好,具有良好的电互连性能。多孔型氧化铝介质膜适用于制备高密度MCM—D基板。
- 朱大鹏王立春罗乐
- 关键词：高密度封装绝缘性能
- 化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究
- 2006年
- 采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2μm,一致性良好。研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物。结果表明,纯锡凸点回流时与Ni-P生成针状Ni3Sn4,凸点剪切强度达到92MPa以上。剪切断裂为韧性断裂,随着回流温度提高及回流时间延长,Ni3Sn4相由针状向块状转变,Ni-P层与Ni3Sn4层间生成层状Ni3P相,粗化的Ni3Sn4相受压应力向焊球内部脱落。
- 朱大鹏王立春胡永达罗乐
- 关键词：半导体技术化学镀NI-P
