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戴沛然

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：清华大学电子工程系更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇混频
  • 2篇GAAS
  • 1篇单片
  • 1篇引线
  • 1篇质子注入
  • 1篇频段
  • 1篇平衡混频器
  • 1篇梁式引线
  • 1篇混频管
  • 1篇混频器
  • 1篇KA频段

机构

  • 1篇南京电子器件...
  • 1篇清华大学

作者

  • 2篇戴沛然
  • 1篇江关辉
  • 1篇孙迎新

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1990
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
质子注入等平面GaAs梁式引线混频管
1990年
本文论述质子注入等平面GaAs梁式引线混频管的特点、器件结构及工艺途径.根据理论分析及实验,采用厚度合适的选镀金层作为掩蔽膜,选定合适能量及剂量的多能量叠加质子注入条件,得到较为满意的实验结果,制成的样管在8mm波段测得的变频损耗Lc=5～5.5dB.
戴沛然
关键词：混频管质子注入GAAS
Ka频段GaAs单片平衡混频器被引量：1
1994年
Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｈｕｉ；ＳｕｎＢ...
江关辉孙柏根高葆薪孙迎新戴沛然
关键词：KA频段平衡混频器混频器
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