江关辉
- 作品数：9 被引量：8H指数：2
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- 衬底表面处理对燃烧焰法沉积金刚石膜成核密度的影响被引量：2
- 1995年
- 研究了衬底表面不同处理对燃烧焰法沉积金刚石成核密度的影响，发现用硬微粉（金刚石，碳化硅）对衬底的刻划，能明显地提高成核密度，在衬底表面涂覆机械泵油或先沉积薄类金刚石层也能显著提高成核密度。成核密度的提高有利于生长出连续金刚石膜。
- 相炳坤江关辉
- 关键词：金刚石膜
- 以半绝缘GaAs为衬底的混合集成混频器
- 江关辉孙柏根
- 关键词：微波集成电路微波混频器砷化镓电路分析定向耦合器
- MMIC混频器电路设计与非线性分析被引量：2
- 1996年
- 采用清华大学自行编制的混频器非线性分析程序ＴＵＭＩＸＥＲ，设计并研制了Ｋａ频段ＭＭＩＣ平衡混频器。在对混频器电路的大信号非线性仿真过程中，进行了多频谐波平衡分析，给出了混频器电路在多频输入情况下的输出频谱，对电路中的各种分布参数元件及微带不连续性区域，采用场匹配法作了严格计算。所研制的Ｋａ频段单片集成混频器电路，制作在一块２ｍｍ×３ｍｍ的ＧａＡｓ芯片上，在３１～３６ＧＨｚ频段上，混频器的噪声系数小于１０ｄＢ。
- 孙迎新高葆新江关辉林金庭
- 关键词：MMIC混频器多频非线性微波集成电路
- Ka频段GaAs单片平衡混频器被引量：2
- 1996年
- 报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为：２ｍｍ×３ｍｍ×０．２ｍｍ，在ｆ＝３１～３６ＧＨＺ范围内ＮＦＳＳＢ≤１０ｄＢ，最佳点ｆ＝３２．２ＧＨｚＮＦ．ＳＳＢ＝８．７ｄＢ［ｆＩＦ＝１．２ＧＨｚ］。
- 江关辉高葆新孙柏根孙迎新
- 关键词：KA频段砷化镓
- 梁式引线GaAs混频二极管对被引量：3
- 1999年
- 文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对，可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒，ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜，以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强，可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１，结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ，正向微分电阻为３～６Ω，分布电容较小，结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ，正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中，中频带宽为４～８ＧＨｚ，混频器的变频损耗低于２０ｄＢ，本振功率为１３ｄＢｍ。
- 周剑明江关辉
- 关键词：砷化镓梁式引线混频
- Ka频段GaAs单片平衡混频器被引量：1
- 1994年
- Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｈｕｉ；ＳｕｎＢ...
- 江关辉孙柏根高葆薪孙迎新戴沛然
- 关键词：KA频段平衡混频器混频器
- 衬底表面处理及沉积参数对燃烧焰法沉积金刚石膜成核密度的影响
- 相炳坤江关辉
- 关键词：衬底金刚石
- 第七届全国化合物半导体和微波、光电器件学术会议简况
- 1993年
- 由中国电子学会半导体与集成电路技术学会和电子材料学会主持召开的第七届全国化合物半导体材料和微波、光电器件学术年会,于1992年8月26日至30日在河北省北戴河召开。参加这次学术年会的代表来自全国40个单位,184人。机电部总工程师俞忠钰出席了大会,并就我国电于工业的发展作了重要讲话。会议录用论文176篇,其中特邀报告8篇,在大会上宣读了4篇。它们是:国家自然科学基金委员会许振嘉研究员的“金属-砷化镓研究”;北京大学秦国刚教授的“发可见光的多孔硅”;北京电子管厂苏里曼高级工程师的“InP异质结晶体管”和河北半导体研究所所长毕克允的“集中力量发展我国的砷化镓技术”。
- 江关辉
- 关键词：化合物半导体光电器件微波器件
- GaAs梁式引线混频管四管堆
- 1991年
- 本文报道GaAs梁式引线混频管四管堆的研究结果.以半绝缘GaAs单晶为衬底,以NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒,用二氧化硅和聚酰亚胺两种介质为钝化保护膜而制成的梁式引线混额管四管堆,其零偏结电容为0.05～0.11pF,串联电阻为3～6Ω,分布电容小于0.10pF,4个单管的一致性较好.将该器件分别用于7.5～18GHz和4～8GHz双平衡混频器中,单边带整机噪声系数分别小于6.6dB和5.0dB(不含中放噪声系数1.5dB),本振功率小于10dBm.
- 桑群江关辉
- 关键词：GAAS引线混频管
