惠瑜
- 作品数：14 被引量：12H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统
- 本实用新型公开了一种超临界二氧化碳吹洗硅片系统，包括：氟化氢源、液态二氧化碳源、第一流量控制阀、第二流量控制阀、加热器、高压泵、高压密闭腔室(5)、针型阀(8)、溢出腔(9)、碱性溶液(10)、过滤纯化装置(11)和冷凝...
- 王磊惠瑜高超群景玉鹏
- 文献传递
- 一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法
- 本发明公开了一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法，该方法利用二氟化氙作为刻蚀反应气体，超临界二氧化碳作为运载气体对硅牺牲层进行释放。二氧化碳利用其超临界态特有的性质使得二氟化氙对硅的刻蚀更加均匀，腐蚀表面的光...
- 王磊惠瑜高超群景玉鹏
- 一种对硅片进行气体线切割的装置
- 本发明公开了一种对硅片进行气体线切割的装置，该装置包括流量控制器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔压力表、真空腔温度控制装置、真空腔室、喷头、掩蔽板、硅片架、后级泵和尾气处理装置，其中：减压阀、真空泵、真空腔压力表、真空腔...
- 景玉鹏惠瑜
- 文献传递
- 电磁驱动推拉式射频MEMS开关的设计与制作
- 2010年
- 提出了一种新型电磁驱动推拉式射频MEMS开关。针对传统静电驱动单臂梁开关所需驱动电压大、恢复力不足等问题,设计了一种推拉式开关结构,降低了驱动电压(电流),提高了开关的隔离度,同时实现了单刀双掷的功能。单晶Si梁由于自身无应力,解决了悬臂梁残余应力引起的梁变形问题。通过理论计算和有限元分析,优化了开关设计尺寸,在外围永磁铁磁感应梯度dB/dz=100T/m,在线圈通入100mA电流的驱动下,单晶Si扭转梁末端可以获得约10μm的弯曲量,满足开关驱动要求。给出了开关的详细微细加工流程,对开关的传输参数进行了测试,在10GHz时隔离度为-40dB.
- 惠瑜高超群王磊景玉鹏陈大鹏
- 关键词：射频MEMS开关MEMS电磁驱动隔离度
- 半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机
- 本发明公开了一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其清洗腔内有磁动旋转装置。二氧化碳超临界流体具有零表面张力、低粘滞度、强扩散能力和溶解能力，可以对硅片上的微细结构进行有效清洗和超临界干燥。该半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机...
- 惠瑜景玉鹏
- 二氧化碳缓冲硅片打孔装置
- 本发明公开了一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，包括二氧化碳流量控制器、三氟化氯流量控制器、混合器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔室、真空腔压力表、喷头、掩蔽板、硅片架、真空腔温度控制装置、后级泵和尾气处理装置；减压阀、真空泵...
- 景玉鹏惠瑜
- 文献传递
- 半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机
- 本发明公开了一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其清洗腔内有磁动旋转装置。二氧化碳超临界流体具有零表面张力、低粘滞度、强扩散能力和溶解能力，可以对硅片上的微细结构进行有效清洗和超临界干燥。该半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机...
- 惠瑜景玉鹏
- 文献传递
- 二氧化碳缓冲硅片打孔装置
- 本发明公开了一种二氧化碳缓冲硅片打孔装置，包括二氧化碳流量控制器、三氟化氯流量控制器、混合器、减压阀、压力表、真空泵、真空腔室、真空腔压力表、喷头、掩蔽板、硅片架、真空腔温度控制装置、后级泵和尾气处理装置；减压阀、真空泵...
- 景玉鹏惠瑜
- 一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法
- 本发明公开了一种通过刻蚀硅牺牲层释放MEMS结构的系统及方法，该方法利用二氟化氙作为刻蚀反应气体，超临界二氧化碳作为运载气体对硅牺牲层进行释放。二氧化碳利用其超临界态特有的性质使得二氟化氙对硅的刻蚀更加均匀，腐蚀表面的光...
- 王磊惠瑜高超群景玉鹏
- 文献传递
- 超临界二氧化碳(SCCO_2)无损伤清洗被引量：12
- 2010年
- 简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性。在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥。结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程。分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展。
- 王磊惠瑜高超群景玉鹏
- 关键词：RCA清洗硅片清洗超临界二氧化碳超临界流体
