崔勇国
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
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- MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
- 2005年
- 采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明当x的取值小于等于0.39时,合金薄膜保持ZnO的六角形纤锌矿结构,没有观察到MgO分相,此时薄膜的能带宽度可以在3.3～3.95eV之间调节.
- 张源涛朱慧超崔勇国张宝林杨树人杜国同
- 关键词：金属有机化学气相沉积
- 采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜被引量：5
- 2005年
- 采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜。该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的。与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性。对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层。
- 崔勇国张源涛朱慧超张宝林李万程杜国同
- 关键词：ZNO薄膜半导体材料
- 采用MOCVD方法在Si和GaAs衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究
- 崔勇国
- 关键词：MOCVDGAAS衬底SI
- 文献传递
- 采用MOCVD法在p型Si衬底上生长ZnO薄膜
- 2005年
- 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型S i(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜。在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在S i衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2)。通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性。研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性。此外,所生长n-ZnO/p-S i异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小。在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流。
- 张源涛崔勇国张宝林朱慧超李万成常遇春杨树人杜国同
- 关键词：ZNO薄膜SI衬底PL谱异质结
- MOCVD法制备MgZnO合金薄膜
- 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长Mg<,x>Zn<,1-x>O合金薄膜.c轴取向的Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和...
- 张源涛朱慧超崔勇国刘大力杨树人杜国同
- 关键词：金属有机化学气相沉积半导体材料光学特性
- 文献传递
