您的位置： 专家智库 > >

尹旻

作品数：2 被引量：5H指数：1
供职机构：兰州大学物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室基金甘肃省科技攻关计划更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电感耦合
  • 1篇电感耦合等离...
  • 1篇电子发射
  • 1篇电子密度
  • 1篇电子谱
  • 1篇室温制备
  • 1篇离子
  • 1篇铝诱导晶化
  • 1篇纳米
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇SI
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇场电子发射

机构

  • 2篇兰州大学

作者

  • 2篇尹旻
  • 2篇王晓强
  • 2篇栗军帅
  • 2篇贺德衍
  • 2篇陈强
  • 1篇祁菁

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化被引量：5
2005年
利用电感耦合等离子体CVD方法在 35 0℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜 .利用x射线衍射、紫外 可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等 .结果表明 ,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高 ,而且具有良好的 ( 111)结晶取向性 ,晶粒尺寸大于30 0nm ,样品中无Al的残留 .结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理 .
王晓强栗军帅陈强祁菁尹旻贺德衍
关键词：电感耦合等离子体X射线光电子谱硅薄膜电子密度
电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究
2006年
利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502cm^-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相．用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成，Si锥的高度为30～40nm，底面平均直径约为200nm．场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性，开启电压为7～10V／μm．
贺德衍王晓强陈强栗军帅尹旻A.V.KarabutovA.G.Kazanskii
关键词：场电子发射
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0