孟海杰
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京工业大学博士启动基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性被引量：3
- 2009年
- 基于Arrhenius模型,对功率器件垂直导电双扩散(VDMOS)场效应晶体管的可靠性进行了评价,并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同结温下的恒定温度应力加速寿命实验,利用Arrhenius方程和最好线性无偏差估计法(BLUE)对结果进行数据处理,得到其失效激活能E=0.54 eV,在偏置VDS=7.5 V,IDS=0.8 A,推导出功率VDMOS在室温下工作的寿命特征值为3.67×106h。失效分析发现,栅极累积失效是影响功率VDMOS漏源电流IDS退化的主要失效机理。
- 白云霞郭春生冯士维孟海杰吕长志李志国
- 温度和电流应力条件下n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触失效机理的研究
- 在过去的几十年里，氮化镓（GaN）材料引起了人们的极大兴趣。由于具有直接宽禁带隙（～3.4eV）、很高的击穿电场（>2x106V/cm）和高饱和速率（2.2x107cm/s），GaN以及相关化合物材料在光电器件（例如蓝光...
- 孟海杰
- 文献传递
- 探测器中扩散结深对光响应度影响的研究被引量：1
- 2008年
- 研究了InGaAs/InP PIN探测器中扩散结深对光响应度的影响,对不同扩散条件下的光电探测器进行了对比实验,测量了不同结深下器件的I-V特性和光响应度。结果表明:扩散结深对器件的I-V特性影响不大,而对光响应度影响很大,当结深处在InGaAs吸收层上表面时,光响应度最大值出现在波长1.55μm处;而当结深进入衬底InP层后,光响应度最大值则出现在波长1μm处。另外,在闭管扩散实验中,严格控制温度和扩散时间是控制结深的关键,研究了不同扩散温度和扩散时间下的结深,为器件的制备提供了参考。
- 庄四祥冯士维王承栋白云霞苏蓉孟海杰
- 关键词：探测器光响应度INGAAS/INP结深
- 基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法被引量：2
- 2008年
- 在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核,对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改进,充分考虑到了半导体材料受到的影响,可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域.工艺制备中实现台面刻蚀斜坡效果,并采取多次SiO_2淀积多次光刻技术,有效降低了引线电极断裂的概率.通过大电流密度老化结果显示:接触电阻率早期快速失效,且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧.对样品老化前后进行能谱分析得知:接触层中的Al是一种较低的抗电迁移能力的金属,由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层.改进后的结构对测量大电流密度下的欧姆接触是一种好方法.
- 冯士维张跃宗孟海杰郭春生张光沉吕长志
- 关键词：大电流密度欧姆接触接触电阻率电迁移
