孙江玲
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学第一医院更多>>
- 相关领域：医药卫生更多>>
- 非痴呆帕金森病短时记忆障碍的事件相关电位研究
- 2001年
- 目的 评价事件相关电位对非痴呆帕金森病短时记忆障碍诊断的临床价值。方法 对 2 4例非痴呆帕金森病患者 (病例组 )和 30例健康受试者 (对照组 )进行短时记忆测试 ,同时分别完成听觉经典Oddball序列、视觉非经典Oddball序列事件相关电位检查。结果 经典Oddball序列诱发的P30 0潜伏期、波幅与非经典Oddball序列诱发的P45 0潜伏期比较 ,两组间无明显差异 (P >0 .0 5 ) ,病例组P45 0波幅〔( 2 7.0± 3.9) μV〕较对照组〔( 39.7± 6.1) μV〕明显降低 (P <0 .0 5 ) ,且与记忆商值呈正相关 (r =0 .93,P <0 .0 5 )。结论 应用某些特殊诱发模式 ,事件相关电位对短时记忆障碍的诊断有一定的临床价值。
- 张冠群孙江玲石昕孙相如
- 关键词：痴呆帕金森病事件相关电位
- 帕金森病短时记忆障碍的事件相关电位研究被引量：1
- 2001年
- 目的 :评价不同刺激序列诱发的事件相关电位 (ERP)对非痴呆帕金森病 (ND PD)短时记忆 (STM )障碍的诊断价值。方法 :应用经典Oddball序列、Sternberg序列分别对 2 4例ND PD患者 (患者组 )和 30例健康受试者 (对照组 )进行ERP检查。结果 :Oddball序列下 ,两组P30 0潜伏期、波幅均无明显差异 (P >0 .0 5 ) ;Sternberg序列下 ,患者组P5 6 0波幅 ( 16 .6± 5 .2 μV)较对照组 ( 2 8.5± 4.4μV)显著降低 ( P <0 .0 5 ) ,前者波幅与记忆商值呈正相关 (r =0 .6 8,P <0 .0 5 ) ,患者组 10例出现N6 80波均存在STM障碍。结论 :Sternberg序列诱发的ERP ,P5 6 0波幅的降低和N 6
- 张冠群孙江玲石昕孙相如
- 关键词：帕金森病事件相关电位痴呆
