孔令德
- 作品数：37 被引量：33H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金云南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 溅射Ge/Si多层膜自组织生长的晶化分析
- Ge、Si的室温禁带宽度对应截至波长分别约为1.85μm和1.11μm，处在近红外1至3μm的大气窗口范围内，可用于制备近红外波段光电信息薄膜探测材料。论文实验尝试采用磁控、离子束溅射两种物理方式，制备了一系列的Si、G...
- 孔令德
- 关键词：磁控溅射离子束溅射自组织生长多层膜
- 文献传递
- 非晶态碲镉汞薄膜的射频磁控溅射生长及其晶化过程研究被引量：9
- 2007年
- 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe或a-MCT)薄膜的低温生长,获得了射频磁控溅射生长a-HgCdTe薄膜的"生长窗口"。利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究,a-HgCdTe薄膜的XRD衍射为典型的非晶衍射波包。椭圆偏振光谱研究结果表明,a-HgCdTe薄膜与晶态HgCdTe薄膜的折射率和消光系数均表现出明显的差异,椭圆偏振光谱技术可以作为一种非晶态半导体的结构判定手段。在90℃～215℃范围内对非晶态碲镉汞薄膜进行了真空退火处理研究其晶化过程,其晶化温度在130℃～140℃之间。
- 孔金丞孔令德赵俊张鹏举李志李雄军王善力姬荣斌
- 关键词：射频磁控溅射晶化
- 非晶态碲镉汞的光学性质(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用椭圆偏振光谱技术研究了射频磁控溅射生长非晶态碲镉汞(amorphous Hg1-xCdxTe,amorphous MCT,a-MCT)薄膜的光学性质,发现非晶态碲镉汞薄膜的介电函数谱特征与晶态碲镉汞材料的明显不同,表现出与其他非晶态半导体材料类似的"波包"结构特征。基于修正的FB模型在1.0～4.0eV的能量范围内对实验结果进行了拟合分析,得到了不同组分非晶态碲镉汞薄膜的光学带隙随组分关系。通过与单晶碲镉汞光学带隙随组分变化关系的对比研究,结果表明碲镉汞的结构从晶态向非晶态转变过程中,材料的光学待续发生了明显的"蓝移"。
- 孔金丞赵俊孔令德李雄军王光华杨丽丽张鹏举姬荣斌
- 关键词：椭圆偏振光谱光学性质
- 低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法
- 本发明提供一种低温双离子束溅射Ge/Si多层膜自组织Ge量子点的制备方法，使用氩(Ar)气作为工作气体，包括两个离子束溅射枪，其特征在于在工作室本底真空压强小于3.0×10<Sup>－4</Sup>Pa，基片温度为200...
- 杨宇孔令德宋超张曙
- 文献传递
- 非晶碳化硅薄膜的结构及其光学特性研究被引量：2
- 2011年
- 采用等离子体增强化学气相沉积系统制备非晶碳化硅薄膜,通过控制反应气体中甲烷和硅烷的流量比R来调节薄膜中的碳/硅比,获得具有不同碳/硅比的薄膜结构。采用Raman、XPS以及FT-IR等技术手段对样品的结构进行表征。通过对样品吸收谱的测量,对样品的光学特性进行了研究。研究结果表明,薄膜中C-H键以及Si-C键含量的增加引起薄膜的光学带隙展宽,在R=10时薄膜的光学带隙达到2.4 eV。
- 宋超孔令德
- 关键词：碳化硅非晶薄膜光学带隙
- 一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法
- 本发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法，其特正在于采取A.衬底清洗，B.甩胶，C.生长材料，D.剥离的技术步骤，获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品，生长薄膜材料的衬底，可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片...
- 孔金丞赵俊孔令德张鹏举王光华李雄军杨丽丽姬荣斌
- 文献传递
- 非晶态碲镉汞薄膜研究
- 在玻璃衬底上用射频磁控溅射技术进行了非晶态碲镉汞(α-HgCdTe，α-MCT)薄膜的低温生长，获得了射频磁控溅射生长α-MCT薄膜的“生长窗口”。利用X射线衍射(XRD)技术对所生长的薄膜进行分析研究，α-MCT薄膜的...
- 孔金丞张鹏举孔令德赵俊李雄军杨丽丽姬荣斌
- 关键词：射频磁控溅射红外透射谱光学带隙真空退火
- 低生长束流下离子束溅射技术自组织生长Ge量子点的方法
- 本发明提供一种低生长束流下离子束溅射技术自组织生长Ge量子点的方法，包括离子束真空溅射，并使用氩(Ar)气作为工作气体，其特征在于控制低生长束流为2mA～10mA，并在束流电压为0.2KV～1.5KV，溅射压强为1.0×...
- 杨宇宋超孔令德张曙
- 文献传递
- 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法
- 非晶态碲化镉薄膜的磁控溅射生长法，其特征在于在具有六工位磁控溅射靶位的超高真空磁控溅射生长室，本底真空度优于3.0×10<Sup>-4</Sup>Pa，温度为25℃±10℃，用纯度为7N的高纯圆块状CdTe单晶靶为靶材，...
- 孔令德庄继胜孔金丞赵俊李雄军李竑志王光华杨丽丽姬荣斌
- 文献传递
- 一种用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法
- 本发明提供的用于透射电镜研究的非晶态薄膜样品制备方法，其特正在于采取A.衬底清洗，B.甩胶，C.生长材料，D.剥离的技术步骤，获得用于透射电镜实验的非晶态薄膜样品，生长薄膜材料的衬底，可采用载玻片、硅片、石英片或者宝石片...
- 孔金丞赵俊孔令德张鹏举王光华李雄军杨丽丽姬荣斌
