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夏天
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7
被引量:8
H指数:1
供职机构:
北京工业大学
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相关领域:
电子电信
交通运输工程
机械工程
文化科学
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合作作者
段建民
北京工业大学
胡冬青
北京工业大学
周新田
北京工业大学
贾云鹏
北京工业大学
杨晨
北京工业大学
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北京工业大学
作者
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夏天
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吴郁
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贾云鹏
2篇
周新田
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胡冬青
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段建民
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2020
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2012
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一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法
本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法,结构包括:N‑漂移层;衬底层;漏极金属;JFET区;P‑base区;N+源区;P‑region区;P‑plus区;MOSFET栅氧;沟道二极管...
贾云鹏
夏天
周新田
赵元富
胡冬青
吴郁
智能车速度规划及路径跟踪控制方法研究
智能车辆(Intelligent Vehicle,IV)是智能交通系统(Intelligent Transport System,ITS)的重要组成部分,包含了信息融合、环境感知、自动控制等众多技术。智能车辆的研究,能够...
夏天
关键词:
智能车辆
文献传递
基于Pure Pursuit算法的预瞄点确定方法
基于Pure Pursuit算法的预瞄点确定方法,首先将GPS提供的空间大地坐标信息转换为UTM直角坐标信息,并将该信息传送给决策上位机;然后根据车辆当前行驶车速确定预瞄距离;以GPS提供的车辆当前位置为圆心,预瞄距离为...
段建民
杨晨
夏天
一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法
本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法,结构包括:N‑漂移层;衬底层;漏极金属;JFET区;P‑base区;N+源区;P‑region区;P‑plus区;MOSFET栅氧;沟道二极管...
贾云鹏
夏天
周新田
赵元富
胡冬青
吴郁
文献传递
沟槽型SiC MOSFET的短路特性研究
功率半导体器件是电力电子技术的基础,碳化硅(SiC)基功率半导体器件作为第三代宽禁带半导体器件的重点研究对象,其特性优良,具有很高的击穿场强、低导通电阻、高热导率等优势,被认为会在未来取代硅(Si)基IGBT,但目前还未...
夏天
关键词:
功率半导体器件
短路特性
驱动电路
基于Pure Pursuit算法的预瞄点确定方法
基于Pure Pursuit算法的预瞄点确定方法,首先将GPS提供的空间大地坐标信息转换为UTM直角坐标信息,并将该信息传送给决策上位机;然后根据车辆当前行驶车速确定预瞄距离;以GPS提供的车辆当前位置为圆心,预瞄距离为...
段建民
杨晨
夏天
文献传递
完美工作
2012年
Q:你哪年毕业? A:我今年暑假正式毕业.但从去年暑假我就开始工作了。
夏天
关键词:
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