- 基于黑硅材料的红外LED制作方法
- 本发明属于硅基光电子技术领域，具体为一种基于硅材料的红外LED的制作方法。本发明利用飞秒脉冲激光在六氟化硫气氛中刻蚀p型硅衬底表面，既在硅晶体带隙中引入红外发光能级，又能够形成表面重掺的n<Sup>+</Sup>-p结。...
- 蒋最敏吕泉王剑
- 硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光被引量：2
- 2015年
- 用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光（PL）和电致发光（EL）的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光;利用纳秒脉冲激光沉积技术（PLD）制备多晶硅薄膜,发现由硅镱界面的失配形成表面的突触,其上的硅镱键合产生带隙中的电子局域态,该局域态发光分布在1250～1650nm 波长范围,有增强的EL发光;用PLD方法制备硅镱多层膜量子级联结构,测量到光通信窗口的多个发光峰,并观察到随膜层数增加且发光峰增多.
- 董泰阁黄伟其黄忠梅王刚苗信建吕泉刘世荣秦朝建
- 关键词：电致发光
- Si(111)面上氮原子薄膜的电子态密度第一性原理计算及分析被引量：3
- 2010年
- 由于氮原子在Si(111)表面成键的失配度最小,因此考虑Si(111)取向上用不同百分比的氮原子钝化硅表面悬挂键.由第一性原理计算结果显示,当Si(111)表面层中的氮原子含量为75%—100%时,带隙展宽并且有局域陷阱态产生.我们提出相应的局域电子态模型,从而解释了Si基氮膜光致荧光(PL)发光增强实验的物理机理.
- 吕泉黄伟其王晓允孟祥翔
- 关键词：第一性原理计算
- 不同气体氛围下硅量子点的结构及其发光机理被引量：6
- 2011年
- 纳秒脉冲激光在氮气、氧气和空气等不同氛围中加工出的硅量子点都有光致荧光(PL)的发光增强效应,并且在700nm波长附近观察到了受激辐射.在不同氛围下生成的样品有几乎相同的PL光谱分布,其原因是不同氛围下加工出的样品带隙中有相同的电子态分布.计算结果显示:当硅量子点表面被氮或氧钝化后,在带隙中能够形成几乎相同的局域电子态,这种局域电子态可以俘获来自导带的电子,从而形成亚稳态,这是PL发光增强乃至产生受激辐射的关键因素.
- 黄伟其吕泉王晓允张荣涛于示强
- 关键词：硅量子点
- 基于黑硅材料的红外LED制作方法
- 本发明属于硅基光电子技术领域，具体为一种基于硅材料的红外LED的制作方法。本发明利用飞秒脉冲激光在六氟化硫气氛中刻蚀p型硅衬底表面，既在硅晶体带隙中引入红外发光能级，又能够形成表面重掺的n<Sup>+</Sup>‑p结。...
- 蒋最敏吕泉王剑
- 文献传递
- 硅锗薄膜上量子点的受激发光被引量：2
- 2010年
- 脉冲激光在SiGe合金样品表面可以形成量子点结构。样品退火处理后,在720～800 nm光谱区域内存在一些受激发射峰,并且这些受激发射峰有明显的阈值行为。实验发现从Si量子点到SiGe量子点结构的变化将导致受激发光峰有明显的红移现象。由傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析得到:SiGe合金上氧化层中的量子点同时含有Si=O和Ge=O双键结构,这种结构可以形成电子的局域陷阱态(或陷阱态的激子)。计算显示:在SiGe量子点中Ge=O双键可以减小半导体样品中价带和局域陷阱态之间的距离。这就解释了SiGe量子点受激发射的红移现象。
- 黄伟其吕泉张荣涛王晓允刘世荣秦朝建
- 关键词：受激发射红移
- 纳秒激光加工生成硅量子点的发光性质研究
- 2011年
- 该文报道氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成量子点结构,发现这些样品在700 nm波长附近均有增强的光致发光(Photoluminescence,PL),且各样品的PL峰很相似;经适当退火处理后,在某些样品上观察到随机受激发光.通过第一性原理计算,发现各种量子点结构表面的成键类型与密度是形成PL发光增强的关键,并由此提出相应的物理模型.
- 黄伟其蔡成兰刘家兴吕泉秦朝建王晓允张荣涛于示强
- 关键词：纳秒激光量子点光致荧光
