于示强
- 作品数：8 被引量：10H指数：2
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- 相关领域：理学机械工程电子电信生物学更多>>
- 多孔硅量子点中的电子局域态被引量：4
- 2009年
- 经过激光辐照和高温退火加工能够生成多孔硅样品,在650—780 nm处检测到很强的光致荧光(PL)峰,并且有明显的钉扎和增强效应.实验表明,这种PL发光的强度与样品受辐照和退火的时间长短密切相关.通过第一性原理模拟计算发现,样品表面用Si O双键和Si—O—Si桥键钝化,能隙中会出现电子局域态.激光辐照和高温退火的时间长短决定了样品表面Si O双键和Si—O—Si桥键的密度,而该密度正是影响多孔硅量子点中电子局域态生成的关键.
- 黄伟其王晓允张荣涛于示强秦朝建
- 纳秒激光加工生成网孔硅的发光
- 2010年
- 我们分别在氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成网孔结构,发现这些样品有增强的PL发光,且各样品的PL峰很相似。通过第一性原理计算,发现各种网孔结构表面的成键类型与密度是形成PL发光增强的关键,并由此提出相应的物理模型。
- 黄伟其蔡成兰孟祥翔刘家兴秦朝建王晓允张荣涛于示强
- 关键词：光致荧光多孔硅
- 对不同地区灵芝特性的激光拉曼光谱表征被引量：1
- 2009年
- 采用激光拉曼光谱和荧光光谱分析方法对灵芝(Ganoderma lucidum (W.Curt.:Fr.) Karst.)的特性进行表征与研究,特别是对不同地区生长的灵芝菌肉及菌管的发育状况进行比较、并进行对应的光谱表征比较研究,给出一些有价值的结果。
- 黄伟其于示强
- 关键词：拉曼光谱荧光光谱灵芝
- 氧化纳晶硅的光致荧光(英文)
- 2009年
- 观测到纳晶硅表面上氧化结构在692nm和694nm处的尖锐受激发光。这种辐射是514nm激光泵浦发生的。受激发光峰的半高宽为0.5nm(洛伦兹形分布)。这种特殊的纳晶硅氧化结构是通过激光辐照和退火处理后形成的,只有控制好退火的时间,才能出现强烈的受激发光。解释这种受激辐射的模型已提出,其中多孔纳晶硅与氧化硅界面的陷阱态起着重要的作用。
- 张荣涛侯丽梅王晓允于示强
- 关键词：界面态受激辐射
- 纳晶硅氧化层中陷阱态的发光模型
- 2009年
- 纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm^750nm波长之间,发光强度有显著的增加。我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变和对应能带结构的变化,表明在较小尺寸纳晶硅的氧化过程中,有Si-O-Si桥键和Si=O双键的形成,产生对应的电子陷阱态出现在带隙中。PL发光的增强和中心波长的钉扎效应可以用纳晶硅中的量子受限理论和带隙中的陷阱态模型来解释。其中,陷阱态的位置低于量子受限激发态的位置是PL发光出现钉扎与增强效应的必要条件。
- 王晓允张荣涛于示强秦朝建
- 关键词：光致荧光多孔硅
- 量子阱系统中对粒子透射的理论研究被引量：2
- 2009年
- 通过求解薛定谔方程得到由矩形势垒构成的量子系统的变换矩阵和透射系数的精确解,并研究了多量子阱系统结构变化对共振隧穿效应的影响。
- 于示强黄伟其
- 关键词：共振隧穿变换矩阵透射系数
- 不同气体氛围下硅量子点的结构及其发光机理被引量：5
- 2011年
- 纳秒脉冲激光在氮气、氧气和空气等不同氛围中加工出的硅量子点都有光致荧光(PL)的发光增强效应,并且在700nm波长附近观察到了受激辐射.在不同氛围下生成的样品有几乎相同的PL光谱分布,其原因是不同氛围下加工出的样品带隙中有相同的电子态分布.计算结果显示:当硅量子点表面被氮或氧钝化后,在带隙中能够形成几乎相同的局域电子态,这种局域电子态可以俘获来自导带的电子,从而形成亚稳态,这是PL发光增强乃至产生受激辐射的关键因素.
- 黄伟其吕泉王晓允张荣涛于示强
- 关键词：硅量子点
- 纳秒激光加工生成硅量子点的发光性质研究
- 2011年
- 该文报道氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成量子点结构,发现这些样品在700 nm波长附近均有增强的光致发光(Photoluminescence,PL),且各样品的PL峰很相似;经适当退火处理后,在某些样品上观察到随机受激发光.通过第一性原理计算,发现各种量子点结构表面的成键类型与密度是形成PL发光增强的关键,并由此提出相应的物理模型.
- 黄伟其蔡成兰刘家兴吕泉秦朝建王晓允张荣涛于示强
- 关键词：纳秒激光量子点光致荧光
