您的位置： 专家智库 > >

刘海波

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
发文基金：国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇载流子
  • 2篇热载流子
  • 1篇轻掺杂漏
  • 1篇热载流子损伤
  • 1篇热载流子退化
  • 1篇界面态
  • 1篇NMOS器件
  • 1篇LDD
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应管
  • 1篇PMOSFE...

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇刘海波
  • 2篇张进城
  • 2篇郝跃
  • 1篇刘道广

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
通过直接栅电流测量研究PMOSFET's热载流子损伤
2002年
通过直接栅电流测量方法研究了热载流子退化和高栅压退火过程中 PMOSFET's热载流子损伤的生长规律 .由此 ,给出了热载流子引起 PMOSFET's器件参数退化的准确物理解释 .
张进城郝跃刘海波
关键词：热载流子损伤PMOSFET场效应管
LDD NMOS器件热载流子退化研究被引量：1
2002年
　对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDDNMOS器件的退化呈现出新的特点。通过实验与模拟分析,得出了热载流子应力下LDDNMOS退化特性不同于常规(非LDD)NMOS的物理机制。并通过模拟对此观点进行了验证。
刘海波郝跃张进城刘道广
关键词：轻掺杂漏热载流子退化界面态
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0