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冯程程

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 4篇电迁移
  • 3篇电路
  • 3篇电压
  • 3篇芯片
  • 2篇低噪
  • 2篇低噪声
  • 2篇低噪声放大器
  • 2篇电流
  • 2篇电压值
  • 2篇电阻
  • 2篇增益
  • 2篇探针
  • 2篇偏置
  • 2篇偏置电压
  • 2篇迁移
  • 2篇耦合电路
  • 2篇线宽
  • 2篇金属工艺
  • 2篇晶圆
  • 2篇互连

机构

  • 11篇上海集成电路...

作者

  • 11篇冯程程
  • 4篇任铮
  • 4篇唐逸
  • 4篇周伟
  • 3篇叶红波
  • 1篇胡少坚
  • 1篇陈寿面
  • 1篇陶金龙

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 7篇2011
  • 1篇2010
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属电迁移测试设备及方法
本发明提供了一种金属电迁移测试设备及方法。该金属电迁移测试设备包括：芯片数量设置模块，用于设置被测试芯片的测试数量；状态停止模块；判断模块，用于判断是否完成了所设置的测试数量的被测试芯片的测试；芯片移动模块，用于在判断模...
冯程程周伟
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低噪声放大器
本发明涉及一种低噪声放大器，包括串联耦接的第一晶体管和第二晶体管，所述低噪声放大器还包括：偏置电路，用于向所述第一晶体管和第二晶体管提供偏置电压；耦合电路，用于将经过所述第一晶体管的射频信号耦合到所述第二晶体管；高频阻抗...
冯程程
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互连线电迁移寿命的确定方法
本发明提供互连线电迁移寿命的确定方法，包括：选择至少三种不同线宽的互连线，所述至少三种不同线宽的互连线均在同一确定工艺条件下形成；测试每种线宽互连线不同结构的失效时间，利用统计分布得到每种线宽互连线相应的平均失效时间；根...
唐逸周伟任铮冯程程
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半导体参数测量系统的检测方法
本发明提供一种半导体参数测量系统的检测方法，包括：将探针台中所有探针共同扎在一个压焊点上，且每个探针之间相互不接触；检测模块选择任意两个探针，使被选的两个探针与所述半导体参数测量系统构成回路；通过所述半导体参数测试仪检测...
冯程程
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互连线电迁移寿命的确定方法
本发明提供互连线电迁移寿命的确定方法，包括：选择至少三种不同线宽的互连线，所述至少三种不同线宽的互连线均在同一确定工艺条件下形成；测试每种线宽互连线不同结构的失效时间，利用统计分布得到每种线宽互连线相应的平均失效时间；根...
唐逸周伟任铮冯程程陶金龙陈寿面
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半导体参数测量系统的检测方法
本发明提供一种半导体参数测量系统的检测方法，包括：将探针台中所有探针共同扎在一个压焊点上，且每个探针之间相互不接触；检测模块选择任意两个探针，使被选的两个探针与所述半导体参数测量系统构成回路；通过所述半导体参数测试仪检测...
冯程程
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混频器
本发明涉及一种混频器，包括差动连接的第一晶体管、第二晶体管以及第一本振信号输入端和第二本振信号输入端，所述混频器还包括第一耦合电路和第二耦合电路，所述第一耦合电路连接在所述第一本振信号输入端和所述第一晶体管的衬底之间，所...
冯程程叶红波任铮
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金属电迁移测试设备及方法
本发明提供了一种金属电迁移测试设备及方法。该金属电迁移测试设备包括：芯片数量设置模块，用于设置被测试芯片的测试数量；状态停止模块；判断模块，用于判断是否完成了所设置的测试数量的被测试芯片的测试；芯片移动模块，用于在判断模...
冯程程周伟
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芯片参数测试的数据处理方法
本发明提供一种芯片参数测试的数据处理方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆上包括n个芯片，其中，n为大于1的整数；分别定义所述n个芯片在晶圆中的位置坐标；分别测量i个芯片的性能参数，并将测量值记录在存储模块中，其中，i为大于1...
冯程程叶红波唐逸
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混频器
本发明涉及一种混频器，包括差动放大电路和第一晶体管，所述第一晶体管将射频电压信号转换成射频电流信号提供给所述差动放大电路，所述混频器还包括电压控制端，所述电压控制端通过控制所述第一晶体管的衬底电压控制所述第一晶体管的阈值...
冯程程胡少坚
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