但迪迪
- 作品数：5 被引量：29H指数：4
- 供职机构：江苏工业学院信息科学与工程学院功能材料实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金中国民航飞行学院科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 超高温度系数V_(0.97)W_(0.03)O_2多晶薄膜的制备研究被引量：14
- 2007年
- 将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃;室温(300K)时的电阻-温度系数(TCR)可大于10%/K,是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径,W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近,是IBEDV0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.
- 李金华袁宁一谢太斌但迪迪
- 关键词：二氧化钒薄膜离子束增强沉积温度系数
- ITO衬底上LiTaO_3薄膜的制备与介电特性被引量：8
- 2007年
- 用溶胶凝胶法在ITO衬底上制备了钽酸锂(LiTaO3)薄膜,利用XRD、SEM和AFM对薄膜的晶向、表面形态等作了表征;研究了不同溶剂对LiTaO3溶胶稳定性的影响和不同退火条件对LiTaO3薄膜结晶的影响;利用Al/LiTaO3/ITO结构,测试了薄膜的介电系数和介电损耗.结果表明:每层薄膜都晶化退火比交替使用焦化、结晶退火能生长出质量更好的LiTaO3薄膜;频率1KHz时,介电损耗约0.4,相对介电系数约53.并讨论了介电损耗增大的原因.
- 张德银黄大贵李金华李坤但迪迪董政
- 关键词：介电特性
- 衬底效应对LiTaO_3薄膜制备的影响被引量：5
- 2007年
- 用溶胶凝胶法在N型硅、P型硅、石英、铂、镍衬底上制备了钽酸锂(LiTaO3)薄膜,用XRD和SEM对钽酸锂薄膜性能参数进行了表征;发现掺杂少量环氧树脂能提高钽酸锂薄膜的均匀性,改善薄膜与衬底的粘附性;研究了衬底效应与薄膜厚度的关系,薄膜厚度超过0.2μm,Ni衬底的XRD峰值强度几乎不再出现,说明衬底对薄膜初始结晶取向有重要影响;利用不同衬底上生长钽酸锂薄膜,XRD研究结果表明:N型硅、P型硅、石英衬底上只能制备多晶钽酸锂薄膜,铂衬底上制备的钽酸锂薄膜在(012)晶向有强大的择优取向性,镍衬底上制备的钽酸锂薄膜有更好的C轴择优取向性,C轴择优取向系数可达0.082。
- 张德银黄大贵李金华但迪迪董政
- 关键词：LITAO3溶胶凝胶
- 二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性被引量：9
- 2005年
- 掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点。综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数。
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- 关键词：二氧化钒薄膜掺杂改性相变
- 不同下电极对Sol-Gel LiTaO_3薄膜性能的影响
- 2008年
- 用醇盐制备了钽酸锂(LiTaO3)溶胶,分别在Pt、ITO、TiN衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火后,用X射线衍射(XRD)测试了膜的结晶取向,用PLC-100铁电材料分析仪测试膜的铁电特性,用TH2818测试薄膜的介电常数及损耗。结果表明,3种衬底上制备出的薄膜在650℃均可达到充分结晶,薄膜的相对介电常数约160;在10 V时,Pt、ITO、TiN下电极上的剩余极化强度分别为8.42,5.21和5.76μC/cm2;在5 V时的漏电分别为2.71×10-7,9.24×10-7和2.19×10-7A/cm2;介电损耗分别为0.02,0.18和0.31。讨论了衬底对薄膜性能影响的原因。
- 但迪迪张德银李坤谢太斌李金华
- 关键词：铁电薄膜钽酸锂电极SOL-GEL
