谢太斌
- 作品数：3 被引量：21H指数：2
- 供职机构：江苏工业学院信息科学与工程学院功能材料实验室更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 超高温度系数V_(0.97)W_(0.03)O_2多晶薄膜的制备研究被引量：14
- 2007年
- 将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃;室温(300K)时的电阻-温度系数(TCR)可大于10%/K,是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径,W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近,是IBEDV0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.
- 李金华袁宁一谢太斌但迪迪
- 关键词：二氧化钒薄膜离子束增强沉积温度系数
- 二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性被引量：9
- 2005年
- 掺杂能明显改变二氧化钒薄膜的相变温度,影响其电学和光学性质。研究表明:W、Mo等大尺寸原子掺杂可以有效降低相变温度,而Al、P等小尺寸原子掺杂则使相变温度升高。综述、比较了不同掺杂方法和掺杂元素对相变、相变滞豫、电阻和透射性能的影响,介绍了用离子束增强沉积方法对二氧化钒薄膜掺杂改性的优点。综合分析表明,通过对二氧化钒多晶薄膜的掺杂改性,将相变温度降至室温附近,可以大大提高薄膜的室温电阻温度系数。
- 谢太斌李金华谢建生但迪迪范利宁袁宁一
- 关键词：二氧化钒薄膜掺杂改性相变
- 不同下电极对Sol-Gel LiTaO_3薄膜性能的影响
- 2008年
- 用醇盐制备了钽酸锂(LiTaO3)溶胶,分别在Pt、ITO、TiN衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火后,用X射线衍射(XRD)测试了膜的结晶取向,用PLC-100铁电材料分析仪测试膜的铁电特性,用TH2818测试薄膜的介电常数及损耗。结果表明,3种衬底上制备出的薄膜在650℃均可达到充分结晶,薄膜的相对介电常数约160;在10 V时,Pt、ITO、TiN下电极上的剩余极化强度分别为8.42,5.21和5.76μC/cm2;在5 V时的漏电分别为2.71×10-7,9.24×10-7和2.19×10-7A/cm2;介电损耗分别为0.02,0.18和0.31。讨论了衬底对薄膜性能影响的原因。
- 但迪迪张德银李坤谢太斌李金华
- 关键词：铁电薄膜钽酸锂电极SOL-GEL
