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韩吉胜

作品数：68 被引量：9H指数：2
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 64篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 34篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 17篇肖特基
  • 16篇碳化硅
  • 14篇氮化镓
  • 13篇电极
  • 13篇微电子
  • 13篇击穿电压
  • 12篇肖特基二极管
  • 12篇二极管
  • 10篇势垒
  • 9篇半导体
  • 8篇电阻
  • 8篇增强型
  • 8篇势垒层
  • 8篇金属
  • 8篇二维电子
  • 8篇二维电子气
  • 7篇外延层
  • 7篇刻蚀
  • 7篇HEMT
  • 6篇栅电极

机构

  • 68篇山东大学

作者

  • 68篇韩吉胜
  • 60篇徐现刚
  • 53篇崔鹏
  • 22篇徐明升
  • 12篇李树强
  • 8篇罗鑫
  • 6篇王新宇
  • 6篇王柳
  • 6篇林兆军
  • 3篇展杰
  • 2篇姚涛
  • 1篇王成建
  • 1篇解士杰

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 45篇2024
  • 13篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 68 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件和半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件和半导体器件的制造方法，属于半导体器件领域，包括：半导体衬底；第一半导体层；第二半导体层；栅沟槽；伪深沟槽；绝缘层；栅极；第一包裹半导体区域；第二包裹半导体区域；由碳化硅制成的第一半导体区域，具...
汉多科·林纳威赫韩吉胜崔鹏徐明升钟宇崔潆心徐现刚李树强
一种版图结构、半导体器件和其制造方法
本发明公开了一种版图结构、半导体器件和其制造方法，属于半导体器件技术领域，传统沟槽MOSFET承受高击穿电压的可靠性低，本发明在传统沟槽MOSFET器件结构之上进行改进，栅极氧化层和沟槽MPS的角落都被包裹在高掺杂浓度的...
汉多科·林纳威赫陈曦冉韩吉胜崔鹏徐现刚
一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法
本发明涉及一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN HEMT包含衬底、过渡层、沟道层、势垒层、栅结构和源漏欧姆接触金属电极。器件栅极部分自下而上分别包括势垒层上的P‑型GaN栅极材...
崔鹏汉多科·林纳威赫韩吉胜徐现刚
一种基于激光退火工艺的氮化镓HEMT及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于激光退火工艺的氮化镓HEMT及其制备方法。本发明使用激光选区退火，可以同时生长源极、漏极、栅极金属，防止源极和漏极退火后杂质被栅极覆盖导致欧姆性能下降，使氮化镓HEMT具有低...
徐现刚韩吉胜崔鹏
一种基于SiC衬底的耐高温高性能CMOS及其制备方法
本发明涉及一种基于SiC衬底的耐高温高性能CMOS及其制备方法，属于微电子技术领域，通过在同一SiC衬底上制备出SiC N型沟道MOS管和GaN P型沟道MOS管，并将它们串联，在SiC衬底上制备出耐高温高性能CMOS，...
崔鹏李汉和徐明升崔潆心钟宇李树强韩吉胜徐现刚
一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法
本发明公开了一种外延层非均匀分布的碳化硅SBD器件及其制作方法，其涉及器件设计技术领域。包括：4H‑SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层，所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层；所述P型SiC外延层...
韩吉胜王新宇汉多科·林那威赫崔潆心徐现刚
一种高击穿电压增强型氮化镓器件及其制备方法
本发明涉及一种高击穿电压增强型氮化镓器件及其制备方法，属于微电子晶体管研究技术领域，包括衬底以及位于衬底上的AlN成核层、无掺杂GaN缓冲层、AlN插层、AlGaN势垒层、无掺杂GaN层，AlGaN势垒层上方左侧为第一p...
崔鹏代嘉铖汉多科•林纳威赫崔潆心钟宇徐明升韩吉胜李树强徐现刚
一种改善短路能力的SiC MOSFET器件
本发明提供了一种改善短路能力的SiC MOSFET器件，属于碳化硅（SiC）功率器件技术领域，提出了一种具有分段渐变掺杂外延结构的垂直平面SiC MOSFET器件，其漂移层自上而下分为第一漂移层、第二漂移层和第三漂移层，...
汉多科·林纳威赫刘世杰韩吉胜崔鹏徐现刚
一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层和ScAl...
崔鹏陈思衡韩吉胜徐现刚林兆军展杰徐明升崔潆心钟宇
具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法
本发明属于半导体器件领域，具体涉及具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法。在SiC衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和AlN帽层，形成薄膜结构；对薄膜结构进行台面...
崔鹏罗鑫韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
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