您的位置： 专家智库 > >

韩吉胜

作品数：44 被引量：9H指数：2
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 9篇电极
  • 9篇肖特基
  • 8篇势垒
  • 8篇半导体
  • 7篇势垒层
  • 7篇碳化硅
  • 6篇氮化镓
  • 6篇电阻
  • 6篇微电子
  • 6篇击穿电压
  • 6篇二维电子
  • 6篇二维电子气
  • 6篇HEMT
  • 5篇增强型
  • 5篇肖特基二极管
  • 5篇肖特基接触
  • 5篇金属
  • 5篇二极管
  • 5篇半导体器件
  • 5篇掺杂

机构

  • 44篇山东大学

作者

  • 44篇韩吉胜
  • 37篇徐现刚
  • 37篇崔鹏
  • 20篇徐明升
  • 11篇李树强
  • 6篇林兆军
  • 4篇罗鑫
  • 3篇展杰
  • 3篇王柳
  • 2篇姚涛
  • 1篇王成建
  • 1篇解士杰

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 21篇2024
  • 13篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 44 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
半导体器件和半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件和半导体器件的制造方法，属于半导体器件领域，包括：半导体衬底；第一半导体层；第二半导体层；栅沟槽；伪深沟槽；绝缘层；栅极；第一包裹半导体区域；第二包裹半导体区域；由碳化硅制成的第一半导体区域，具...
汉多科·林纳威赫韩吉胜崔鹏徐明升钟宇崔潆心徐现刚李树强
一种版图结构、半导体器件和其制造方法
本发明公开了一种版图结构、半导体器件和其制造方法，属于半导体器件技术领域，传统沟槽MOSFET承受高击穿电压的可靠性低，本发明在传统沟槽MOSFET器件结构之上进行改进，栅极氧化层和沟槽MPS的角落都被包裹在高掺杂浓度的...
汉多科·林纳威赫陈曦冉韩吉胜崔鹏徐现刚
一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法
本发明涉及一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN HEMT包含衬底、过渡层、沟道层、势垒层、栅结构和源漏欧姆接触金属电极。器件栅极部分自下而上分别包括势垒层上的P‑型GaN栅极材...
崔鹏汉多科·林纳威赫韩吉胜徐现刚
一种基于激光退火工艺的氮化镓HEMT及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种基于激光退火工艺的氮化镓HEMT及其制备方法。本发明使用激光选区退火，可以同时生长源极、漏极、栅极金属，防止源极和漏极退火后杂质被栅极覆盖导致欧姆性能下降，使氮化镓HEMT具有低...
徐现刚韩吉胜崔鹏
一种基于SiC衬底的耐高温高性能CMOS及其制备方法
本发明涉及一种基于SiC衬底的耐高温高性能CMOS及其制备方法，属于微电子技术领域，通过在同一SiC衬底上制备出SiC N型沟道MOS管和GaN P型沟道MOS管，并将它们串联，在SiC衬底上制备出耐高温高性能CMOS，...
崔鹏李汉和徐明升崔潆心钟宇李树强韩吉胜徐现刚
一种高击穿电压增强型氮化镓器件及其制备方法
本发明涉及一种高击穿电压增强型氮化镓器件及其制备方法，属于微电子晶体管研究技术领域，包括衬底以及位于衬底上的AlN成核层、无掺杂GaN缓冲层、AlN插层、AlGaN势垒层、无掺杂GaN层，AlGaN势垒层上方左侧为第一p...
崔鹏代嘉铖汉多科•林纳威赫崔潆心钟宇徐明升韩吉胜李树强徐现刚
一种改善短路能力的SiC MOSFET器件
本发明提供了一种改善短路能力的SiC MOSFET器件，属于碳化硅（SiC）功率器件技术领域，提出了一种具有分段渐变掺杂外延结构的垂直平面SiC MOSFET器件，其漂移层自上而下分为第一漂移层、第二漂移层和第三漂移层，...
汉多科·林纳威赫刘世杰韩吉胜崔鹏徐现刚
一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层和ScAl...
崔鹏陈思衡韩吉胜徐现刚林兆军展杰徐明升崔潆心钟宇
基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件
本发明涉及一种基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件，属于半导体器件技术领域，自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN沟道层和势垒层，所述势垒层两侧GaN沟道层上方分别设置有源电极和漏电极，所述势垒层上方在源电极和...
崔鹏孙久继韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
一种改善短路能力的SiC MOSFET器件
本发明提供了一种改善短路能力的SiC MOSFET器件，属于碳化硅（SiC）功率器件技术领域，提出了一种具有分段渐变掺杂外延结构的垂直平面SiC MOSFET器件，其漂移层自上而下分为第一漂移层、第二漂移层和第三漂移层，...
汉多科·林纳威赫刘世杰韩吉胜崔鹏徐现刚
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0