陈镜昌
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：香港理工大学更多>>
- 发文基金：景德镇市科技局项目江西省科技支撑计划项目江西省教育厅青年科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 低In电解液电沉积制备CuInSe2吸收层被引量：1
- 2012年
- 通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu2+和In3+发生复杂的协同反应。低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比。薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV。
- 胡飞陈镜昌付梦乾文思逸胡跃辉
- 关键词：柠檬酸钠
- 一种碳纳米管增强泡沫铝基复合材料的制备方法
- 本发明公开了一种碳纳米管增强泡沫铝基复合材料的制备方法，该方法包括：用混合酸对碳纳米管进行预处理；对碳纳米管进行化学镀铜，在其表面包覆一层金属铜；再将有金属铜镀层的碳纳米管与铝粉和尿素颗粒均匀混合，冷压成型，温水浸泡后干...
- 邓泽贤陈玲陈镜昌余大民罗永祥
- 文献传递
- 高熵掺杂储氢合金及其制备方法
- 本申请属于储氢合金技术领域，尤其涉及一种高熵掺杂储氢合金及其制备方法。其中，所述高熵掺杂储氢合金的化学通式为：TiCr<Sub>(1.2‑x)</Sub>V<Sub>y</Sub>(HEA)<Sub>x</Sub>；其中...
- 朱用洋陈镜昌杨许生崔智邦徐正龙
- 电沉积法制备ZnO纳米棒/管阵列及其机理研究被引量：6
- 2010年
- 采用恒电位电沉积法在未经修饰的ITO导电玻璃基底上用一步法制备了ZnO纳米棒阵列结构,并经碱蚀制备了ZnO纳米管阵列结构。通过阴极线性扫描分析了通氧及添加剂六次甲基四铵(HMT)对沉积ZnO薄膜的电化学行为的影响。结果表明,电沉积体系中通入氧气对阴极还原反应起到了加速作用,而电沉积体系中的HMT通过水解作用对电沉积反应起到了稳定剂作用。在氧气和HMT的协同作用下可使ZnO更加充分地成核生长,得到结构清晰分明的六方棱柱ZnO晶种,进而形成规则均一的ZnO薄膜。
- 胡飞胡跃辉陈镜昌
- 关键词：电化学沉积ZNO纳米棒阵列
- 一种碳纳米管增强泡沫铝基复合材料的制备方法
- 本发明公开了一种碳纳米管增强泡沫铝基复合材料的制备方法，该方法包括：用混合酸对碳纳米管进行预处理；对碳纳米管进行化学镀铜，在其表面包覆一层金属铜；再将有金属铜镀层的碳纳米管与铝粉和尿素颗粒均匀混合，冷压成型，温水浸泡后干...
- 邓泽贤陈玲陈镜昌余大民罗永祥
- 文献传递
- 纯铁的细晶强化和加工硬化
- 1997年
- 提出一个考虑晶粒尺寸影响和形变中位错密度演化行为的理论模型，用于模拟纯铁的变形行为，特别是描述扩展的Ｈａｌ－Ｐｅｔｃｈ关系，与文献中的试验结果有较好的一致性。这表明晶粒尺寸对流动应力的影响是间接的，是通过其对变形后位错密度的影响来实现对流动应力的影响；而位错密度在形变中的演化有自己的内在规律，与晶粒尺寸无多大关系。
- 高霖童国权郭勇陈镜昌
- 关键词：细晶强化纯铁
- Cu_2O半导体薄膜在酸性条件下的电化学沉积被引量：3
- 2011年
- 在酸性溶液中在透明导电玻璃(ITO)基体上电化学沉积Cu2O薄膜。通过实验研究了电沉积工艺条件对电沉积Cu2O薄膜的影响。X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析。结果表明,水浴温度较高时,酸性镀液中Ac-HAc共轭缓冲体系的反应速率提高,可以有效抑制铜单质的生长;镀液中铜离子的浓度会影响工作电极表面铜离子的浓度梯度,使得Cu2O在不同镀液下形成不同方向的择优取向;在双电极条件下可以提高电沉积Cu2O薄膜的电流密度至4mA/cm2,远远高于文献报导在三电极体系下低于1mA/cm2的工作电流密度。生成的氧化亚铜薄膜具有多孔结构,禁带宽度Eg约为2.4eV。
- 胡飞陈镜昌吴坚强江毅王群
- 关键词：氧化亚铜电沉积电流密度
