邬建根
- 作品数：19 被引量：12H指数：3
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程天文地球更多>>
- 金属杂质在硅中的分凝及其在器件工艺中的应用被引量：2
- 1991年
- 以金属杂质在硅中的分凝作为磷吸除的机理,以金为例,计算金在磷掺杂区和本征硅区的分凝系数,其结果和实验结果一致:硅器件工艺中适当低温的最终分凝退火能获得较佳的吸除效果.作者将该分凝退火技术用于光电探测器的制备中,获得了低于10pA/mm^2的暗电流值.该技术也适用于降低一般硅器件的结反向漏电流.经磷吸除后硅材料产生寿命值的提高也作了介绍.
- 郑国祥周寿通邬建根王昌平屈逢源丁志发
- 关键词：硅金属
- 硅中氧的FTIR研究
- 1992年
- 对不同氧含量的硅片在300K到4.2K温度范围进行红外吸收测量表明:低温(80～4.2K)下硅的红外吸收谱中1127cm^(-1)处的吸收是硅中氧的吸收峰.
- 马碧兰朱景兵邬建根张继昌周寿通屈逢源
- 关键词：硅氧红外辐射
- 现场光热光谱法研究银电极行为被引量：3
- 1992年
- 利用聚偏二氟乙烯(PVDF)热释电膜作为热传感器,本文首次独立设计了现场光热光谱研究用的电解池,对电解池的光热信息进行了理论分析,并用该法研究了碱性溶液中银电极表面氧化层的性质。从光谱的变化证实:Ag表面Ag_2O层的生成与循环伏安曲线上阳极电流增长(约0.22V)同步。类似情况亦发生在AgO层的生成过程。
- 江志裕向阳王江涛邬建根时炳文沈寿彭
- 喇曼散射光极值法定闪锌矿结构薄层的晶向
- 1990年
- 测定金刚石结构薄层晶体的喇曼散射光极值法被推广到测定闪锌矿结构薄层晶体的晶向。导出了闪锌矿结构晶体LO和TO声子的喇曼散射光强和晶体的方位及入射光偏振方向间的函数关系。由函数的极值可以确定簿层的晶向。对GaP晶片比较了本方法得到的结果和X射线衍射法得到的结果。
- 吴华生邬建根屈逢源
- 关键词：锌矿晶向喇曼散射
- 快速灯光退火铝合金降低扩硼硅P＃+[＋]-n结的漏电流
- 邬建根郭慧金辅政
- 关键词：P-N结漏电流硅硼退火半导体器件
- 高速高精度凝视式波长扫描和入射角可变的全自动椭偏光谱仪的研制
- 陈良尧郑玉祥李晶倪卫明王松有张荣君杨月梅邬建根韩涛游海洋贾建虎
- 该项目的完成对在椭偏光谱仪这类具有高科技含量和高附加值的科学仪器研制领域中确立起我国在国际上的地位和市场份额起到积极的作用。实现了高质量智能光谱仪的光、机、电一体化操作，有效解决系统一体化问题；采用新型背照射电制冷CCD...
- 关键词：
- 关键词：椭偏仪单色仪光谱
- 无机械位移的CCD多光栅单色仪
- 陈良尧倪卫明郑玉祥李晶王松有张荣君杨月梅邬建根韩涛游海洋贾建虎
- 针对大多数传统光栅单色仪采用正弦机械装置来控制光栅等色散元件的转动而具有的测量速度慢、效率低和可靠性差等缺点，该项目研制了一种采用面阵式高精度CCD探测器和多光栅结构的新型单色仪。该单色仪采用了多块平面光栅结构的光谱分析...
- 关键词：
- 关键词：CCD光栅单色仪
- 高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收
- 1991年
- 高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。
- 张继昌邬建根马碧兰屈逢源朱景兵
- 关键词：硅晶体快速热退火红外吸收
- 快速热退火铝合金降低硅p^+-n结的漏电流被引量：4
- 1990年
- 快速热退火铝合金工艺可以明显改善硼扩硅P^+-n结的漏电流.X射线衍射实验表明,铝原子补偿了硼原子在硅片中造成的应变,改善了晶体的完整性.
- 郭慧邬建根沈孝良屈逢源金辅政张建平朱景兵
- 关键词：热退火铝合金P-N结漏电流硅
- 灯光退火装置及其均匀性
- 1990年
- 设计制造了快速灯光退火装置,对灯光退火装置的退火均匀性作了理论计算,将灯光退火均匀性的计算结果与作者自行设计的装置所得的实验结果进行比较.结果表明,作者应用自己提出的计算方法设计制造的灯光通火装置各项指标都达到设计要求.此装置能快速、均匀、有效地对半导体中由于离子注入造成的晶格损伤进行退火,并能用于其他半导体热处理工艺.
- 朱景兵邬建根屈逢源
- 关键词：集成电路离子注入
