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赵兴志

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇纳米材料
  • 4篇气相
  • 4篇气相沉积
  • 4篇气相沉积法
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇化学气相沉积...
  • 4篇P型
  • 4篇P型掺杂
  • 4篇SUB
  • 4篇掺杂
  • 4篇X
  • 2篇电极
  • 2篇电极对
  • 2篇异质结
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇气-液-固生...
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层

机构

  • 8篇合肥工业大学

作者

  • 8篇卢敏
  • 8篇王祥安
  • 8篇赵兴志
  • 8篇王莉
  • 6篇胡继刚
  • 6篇李强
  • 6篇揭建胜
  • 6篇张彦
  • 4篇朱志峰
  • 2篇马渊明
  • 2篇马旭
  • 2篇宋红伟
  • 2篇罗林宝
  • 2篇于永强
  • 2篇吴春艳

年份

  • 1篇2015
  • 4篇2013
  • 3篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法
本发明公开了基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法，其特征是按如下步骤进行：在硅片1上制备绝缘层2，将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在绝缘层2上，在绝缘层上制备与N型Si壳层为欧姆接触的N型S...
王莉宋红伟卢敏马旭赵兴志王祥安
文献传递
一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH<Sub>3</Sub>、PH<Sub>3</Sub>中的一种或几种...
王莉赵兴志王祥安卢敏罗林宝揭建胜李强朱志峰张彦胡继刚
文献传递
一种制备II-VI族层叠集成纳米光伏器件的方法
本发明公开了一种II-VI族层叠集成纳米光伏器件及其制备方法，其中光伏器件的底层为重掺杂硅片(4)，所述重掺杂硅片(4)的上层为PMMA绝缘层(2)，所述PMMA绝缘层内阵列排布有至少一根的II-VI族纳米材料(3)，所...
王莉卢敏赵兴志王祥安吴春艳揭建胜张彦马渊明李强胡继刚
文献传递
一种P型掺杂Zn<Sub>x</Sub>Cd<Sub>1-x</Sub>S纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂Zn<Sub>x</Sub>Cd<Sub>1-x</Sub>S纳米材料及其制备方法，本发明采用化学气相沉积法和气-液-固生长机制，在合成过程中原位掺杂Ag、Cu、N、P等元素进行p型掺杂制备p型掺...
王莉王祥安卢敏赵兴志于永强揭建胜胡继刚朱志峰张彦李强
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一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH<Sub>3</Sub>、PH<Sub>3</Sub>中的一种或几种...
王莉赵兴志王祥安卢敏罗林宝揭建胜李强朱志峰张彦胡继刚
基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法
本发明公开了基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法，其特征是按如下步骤进行：在硅片1上制备绝缘层2，将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在绝缘层2上，在绝缘层上制备与N型Si壳层为欧姆接触的N型S...
王莉宋红伟卢敏马旭赵兴志王祥安
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一种P型掺杂Zn<Sub>x</Sub>Cd<Sub>1-x</Sub>S纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂Zn<Sub>x</Sub>Cd<Sub>1-x</Sub>S纳米材料及其制备方法，本发明采用化学气相沉积法和气-液-固生长机制，在合成过程中原位掺杂Ag、Cu、N、P等元素进行p型掺杂制备p型掺...
王莉王祥安卢敏赵兴志于永强揭建胜胡继刚朱志峰张彦李强
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II-VI族层叠集成纳米光伏器件及其制备方法
本发明公开了一种II-VI族层叠集成纳米光伏器件及其制备方法，其中光伏器件的底层为重掺杂硅片(4)，所述重掺杂硅片(4)的上层为PMMA绝缘层(2)，所述PMMA绝缘层内阵列排布有至少一根的II-VI族纳米材料(3)，所...
王莉卢敏赵兴志王祥安吴春艳揭建胜张彦马渊明李强胡继刚
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