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卢敏

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇纳米
  • 8篇开关比
  • 6篇异质结
  • 6篇纳米材料
  • 6篇掺杂
  • 5篇欧姆接触
  • 4篇探测器
  • 4篇气相
  • 4篇气相沉积
  • 4篇气相沉积法
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇化学气相沉积...
  • 4篇光电
  • 4篇光电探测
  • 4篇光电探测器
  • 4篇P型
  • 4篇P型掺杂
  • 4篇SI异质结
  • 4篇SUB

机构

  • 16篇合肥工业大学

作者

  • 16篇卢敏
  • 16篇王莉
  • 10篇胡继刚
  • 10篇揭建胜
  • 10篇吴春艳
  • 8篇王祥安
  • 8篇赵兴志
  • 6篇李强
  • 6篇罗林宝
  • 6篇于永强
  • 6篇张彦
  • 4篇任勇斌
  • 4篇朱志峰
  • 2篇马渊明
  • 2篇马旭
  • 2篇郭慧尔
  • 2篇宋红伟
  • 2篇谢超
  • 2篇彭强

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 5篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法
本发明公开了基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法，其特征是按如下步骤进行：在硅片1上制备绝缘层2，将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在绝缘层2上，在绝缘层上制备与N型Si壳层为欧姆接触的N型S...
王莉宋红伟卢敏马旭赵兴志王祥安
文献传递
一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH<Sub>3</Sub>、PH<Sub>3</Sub>中的一种或几种...
王莉赵兴志王祥安卢敏罗林宝揭建胜李强朱志峰张彦胡继刚
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一种制备II-VI族层叠集成纳米光伏器件的方法
本发明公开了一种II-VI族层叠集成纳米光伏器件及其制备方法，其中光伏器件的底层为重掺杂硅片(4)，所述重掺杂硅片(4)的上层为PMMA绝缘层(2)，所述PMMA绝缘层内阵列排布有至少一根的II-VI族纳米材料(3)，所...
王莉卢敏赵兴志王祥安吴春艳揭建胜张彦马渊明李强胡继刚
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一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法
一种一步法合成Si/IIB-VIB族半导体纳米p-n结的方法，是在水平管式炉中进行化学气相沉积方法，在1000-1100℃蒸发IIB-VIB族材料，在保温过程中引入硅烷，或同时引入III族或V族气态掺杂元素，由于硅与II...
揭建胜王莉于永强吴春艳彭强卢敏任勇斌
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一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂ZnS<Sub>x</Sub>Se<Sub>1-x</Sub>纳米材料及其制备方法，其中P型掺杂的掺杂源选自AgS、CuS、NH<Sub>3</Sub>、PH<Sub>3</Sub>中的一种或几种...
王莉赵兴志王祥安卢敏罗林宝揭建胜李强朱志峰张彦胡继刚
基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法
本发明公开了基于P型ZnSe/N型Si核壳纳米线异质结的存储器的制备方法，其特征是按如下步骤进行：在硅片1上制备绝缘层2，将P型ZnSe/N型Si核壳纳米线分散在绝缘层2上，在绝缘层上制备与N型Si壳层为欧姆接触的N型S...
王莉宋红伟卢敏马旭赵兴志王祥安
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基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法
本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器的制备方法，其特征是首先通过热蒸发的方法在三温区管式炉中合成制备p-型ZnSe纳米线，对n-型重掺杂Si片进行预处理，再用镊子将制备所得的p-型ZnS...
王莉卢敏罗林宝吴春艳胡继刚
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ZnSe纳米光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种ZnSe纳米光电探测器及其制备方法，探测器的结构层自下而上依次为绝缘衬底、感光层和电极，其特征是感光层为n-型掺杂的ZnSe纳米线。本发明采用化学气相沉积法合成制备n型掺杂ZnSe纳米线，在合成过程中通过...
王莉揭建胜吴春艳于永强卢敏谢超郭慧尔任勇斌
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基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于p-型ZnSe纳米线/n-型Si异质结的光电探测器，其特征是光电探测器的结构层自下而上依次为：n-型掺杂Si片、感光层和石墨烯电极，感光层为p-型ZnSe纳米线，感光层与石墨烯电极之间为欧姆接触，在感...
王莉卢敏罗林宝吴春艳胡继刚
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一种P型掺杂Zn<Sub>x</Sub>Cd<Sub>1-x</Sub>S纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种P型掺杂Zn<Sub>x</Sub>Cd<Sub>1-x</Sub>S纳米材料及其制备方法，本发明采用化学气相沉积法和气-液-固生长机制，在合成过程中原位掺杂Ag、Cu、N、P等元素进行p型掺杂制备p型掺...
王莉王祥安卢敏赵兴志于永强揭建胜胡继刚朱志峰张彦李强
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共2页<12>
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