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范修军

作品数:33 被引量:6H指数:2
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:北京市教委基金资助项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 25篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 3篇学位论文

领域

  • 10篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 15篇晶体
  • 13篇纳米
  • 9篇籽晶
  • 9篇纳米管
  • 8篇单壁
  • 8篇单壁碳纳米管
  • 8篇阵列
  • 8篇素坯
  • 8篇碳纳米管
  • 8篇卤素灯
  • 8篇纳米材料
  • 8篇复合材料
  • 8篇SUB
  • 8篇垂直阵列
  • 8篇复合材
  • 6篇石墨烯纳米带
  • 6篇碳纳米材料
  • 6篇纳米带
  • 5篇压电
  • 5篇陶瓷

机构

  • 33篇北京工业大学

作者

  • 33篇范修军
  • 18篇王越
  • 13篇徐宏
  • 13篇蒋毅坚
  • 12篇郭霞
  • 12篇董建
  • 12篇刘巧莉
  • 12篇刘白
  • 12篇李冲
  • 2篇胡振江
  • 2篇马云峰
  • 2篇黄强
  • 1篇刘国庆
  • 1篇邸大伟
  • 1篇黄强

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇北京工业大学...

年份

  • 5篇2017
  • 1篇2016
  • 7篇2015
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 12篇2011
  • 1篇2009
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用
一种铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用,属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列,石墨烯纳米带阵列的顶端为铁族碳化物纳米晶体,铁族碳化物纳米晶体为Fe<Sub>3</Sub>C、Co<S...
郭霞范修军李冲刘巧莉董建刘白
文献传递
红宝石晶体光学浮区法生长及其缺陷研究被引量:2
2011年
采用光学浮区法生长了Φ7 mm×70 mm的红宝石晶体。晶体的生长界面为凸界面,生长方向为<001>方向。X射线双晶摇摆曲线表明晶体具有良好的质量。研究了生长温度、旋转速率、生长速率对晶体质量的影响,确定了合理的工艺条件。通过扫描电镜、能量散射光谱仪、X射线衍射、化学腐蚀结合偏光显微镜对红宝石晶体中气泡、位错、胞状组织和溶质尾迹等缺陷进行了分析。
范修军王越马云峰邸大伟徐宏刘国庆
关键词:晶体生长晶体缺陷
锰掺杂Sr_(2-x)Ca_xNaNb_5O_(15)(x=0.05~0.35)无铅压电陶瓷微观结构与电学性能的研究被引量:1
2011年
采用传统陶瓷制备工艺制备了Mn掺杂的钨青铜结构无铅压电陶瓷Sr2-xCaxNaNb5O15+ywt%MnO2(x=0.05~0.35,y=0,0.3,0.5)(SCNN-M),并对SCNN-M陶瓷相组成、微观结构及介电、压电、铁电性能进行了研究.分析表明:Ca2+已进入Sr2NaNb5O15晶格之中形成固溶体;掺杂适量的锰,能够得到致密、单一的钨青铜结构陶瓷,有效降低烧结温度,促进晶粒长大,显著提高陶瓷的介电、压电、铁电性能.当x=0.05,添加0.5wt%的MnO2时,陶瓷具有较好的介电、压电和铁电性能:介电常数εr=2123,介电损耗tanδ=0.038,压电系数d33=190pC/N,机械品质因数Qm=1455,平面伸缩振动机电耦合系数Kp=13.4%,厚度伸缩振动机电耦合系数Kt=36.5%,剩余极化强度Pr=4.76μC/cm2,自发极化强度Ps=9.36μC/cm2,矫顽场Ec=12.68kV/cm,居里温度Tc=260℃.
范修军王越
关键词:锰掺杂钨青铜结构无铅压电陶瓷
一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法
本发明公开了一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法,属于红宝石晶体生长领域。将Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉料和Cr<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉料制成素坯棒;将料棒烧结成多...
王越范修军徐宏蒋毅坚
文献传递
一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法
一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法,属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型,直径为5-30nm,高度为1.5-5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列,在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层;在单...
郭霞范修军李冲董建刘白刘巧莉
文献传递
一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法
本发明公开了一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法,属于蓝宝石晶体生长领域,包括以下步骤:用高纯原料Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、FeTiO<Sub>3</Sub>和Fe<Sub>2</Sub...
蒋毅坚徐宏范修军王越
文献传递
二步烧结法制备SCNN陶瓷及其性能
2012年
在传统工艺设备制备的基础上,运用二步烧结法制备出钨青铜结构压电陶瓷Sr2-xCaxNaNb5O15(SCNN),通过对x=0.05~0.30的陶瓷研究,获得了具有较高压电系数(80pC/N)和介电常数(>1600)的SCNN陶瓷.X线衍射实验及扫描电镜实验的结果表明,该陶瓷具有极高的致密性.
王越黄强范修军马云峰
关键词:无铅压电陶瓷
一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用
一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用,属于碳化钼碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列,石墨烯纳米带阵列的顶端为六方相的碳化钼纳米晶体。先在硅片上垂直生长纳米管阵列,然后在制成垂直的...
郭霞范修军李冲刘巧莉董建刘白
文献传递
一种提高Sr<Sub>2-x</Sub>Ca<Sub>x</Sub>NaNb<Sub>5</Sub>O<Sub>15</Sub>陶瓷介电和压电性能的制备工艺
一种提高Sr<Sub>2-x</Sub>Ca<Sub>x</Sub>NaNb<Sub>5</Sub>O<Sub>15</Sub>陶瓷介电和压电性能的制备工艺属于无铅压电陶瓷的制备领域。本发明将SrCO<Sub>3</Su...
王越范修军黄强胡振江蒋毅坚
文献传递
一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用
一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用,属于碳纳米材料制备技术领域。底层为硅片,硅片上为垂直石墨烯纳米带,石墨烯纳米带由单壁碳纳米管展开而来,石墨烯纳米带依然保持与硅片垂直状态。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米...
郭霞范修军李冲刘白刘巧莉董建
文献传递
共4页<1234>
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