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刘白
作品数:
22
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供职机构:
北京工业大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
一般工业技术
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合作作者
李冲
北京工业大学
郭霞
北京工业大学
刘巧莉
北京工业大学
董建
北京工业大学
范修军
北京工业大学
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垂直阵列
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复合材
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石墨烯纳米带
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纳米带
机构
22篇
北京工业大学
作者
22篇
刘白
21篇
郭霞
21篇
李冲
20篇
董建
20篇
刘巧莉
12篇
范修军
4篇
马云飞
年份
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2018
8篇
2017
2篇
2016
11篇
2015
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一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管
一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域。包括有依次纵向层叠的第一n型层(101)、第二n型层(102)、电荷倍增区(104)、p型层(105)和衬底(106),其特征在于:第一n型层(101)、第...
郭霞
刘巧莉
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董建
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一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用
一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用,属于碳化钼碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列,石墨烯纳米带阵列的顶端为六方相的碳化钼纳米晶体。先在硅片上垂直生长纳米管阵列,然后在制成垂直的...
郭霞
范修军
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刘巧莉
董建
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一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用
一种垂直石墨烯纳米带、制备与在制备超级电容器中的应用,属于碳纳米材料制备技术领域。底层为硅片,硅片上为垂直石墨烯纳米带,石墨烯纳米带由单壁碳纳米管展开而来,石墨烯纳米带依然保持与硅片垂直状态。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米...
郭霞
范修军
李冲
刘白
刘巧莉
董建
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一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管
一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域,能够对微弱通信光信号进行探测。包括有p<Sup>+</Sup>型欧姆接触电极(101),p<Sup>+</Sup>欧姆接触层(102),吸收层...
李冲
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马云飞
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一种铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用
一种铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用,属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列,石墨烯纳米带阵列的顶端为铁族碳化物纳米晶体,铁族碳化物纳米晶体为Fe<Sub>3</Sub>C、Co<S...
郭霞
范修军
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一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管
一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域,与传统结构不同,具备自动熄灭然后自动恢复的特点。本发明包括有依次纵向层叠的n型层(102),电荷倍增区(103),p型层(104),衬底(106),其特征在于,还包括...
郭霞
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用于产生太赫兹波、微波的双共振垂直腔面发射激光器结构
用于产生太赫兹波、微波的双共振垂直腔面发射激光器结构涉及光电子器件领域。本发明从下至上依次包括下金属电极、n型衬底、下分布反馈布拉格反射镜、n型相位匹配层、增益区、p型相位匹配层、上分布反馈布拉格反射镜、钝化层、上金属电...
郭霞
刘白
李冲
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一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法
一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法,属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型,直径为5-30nm,高度为1.5-5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列,在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层;在单...
郭霞
范修军
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一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用
一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用,属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片,硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列,垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵...
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刘巧莉
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一种制备3C‑SiC纳米盘、制备方法
一种制备3C‑SiC纳米盘、制备方法,属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型,直径为5‑30nm,高度为1.5‑5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列,在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层;在单...
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