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肖韩
作品数:
18
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北京大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
黄如
北京大学
蔡一茂
北京大学
王宗巍
北京大学
王鹏飞
北京大学
杨淮洲
北京大学
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自动化与计算...
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电子电信
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北京大学
作者
18篇
肖韩
17篇
黄如
11篇
王宗巍
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蔡一茂
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杨淮洲
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王鹏飞
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田豫
1篇
张丽杰
年份
1篇
2022
4篇
2020
6篇
2019
1篇
2010
4篇
2008
1篇
2007
1篇
2005
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一种1TnR存算阵列单元的制备方法
本发明提供一种1TnR存算阵列单元的制备方法,属于半导体(semiconductor)、人工智能(artificial intelligence)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明充分利用了MOSFET带来的面积冗余...
王宗巍
蔡一茂
凌尧天
刘毅华
鲍盛誉
方亦陈
肖韩
黄如
文献传递
一种基于CMOS工艺的氧化物忆阻器及其制备方法
本发明提出了一种基于CMOS工艺的氧化物忆阻器及其制备方法,属于基于采用传统CMOS后端工艺实现的大规模忆阻器及其阵列集成的制备方法,通过合理设计和优化工艺流程使得材料和工艺在兼容现有CMOS后端工艺基础上,同时实现高性...
王宗巍
蔡一茂
方亦陈
凌尧天
肖韩
黄如
文献传递
一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法,属于场效应晶体管的制备领域,该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法,仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS,即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、...
肖韩
黄如
王鹏飞
杨淮洲
文献传递
一种基于阻变存储器的1T2R存储单元及其制备方法
本发明涉及一种基于阻变存储器的1T2R存储单元及其制备方法。该基于阻变存储器的1T2R存储单元包括一个MOSFET晶体管和两个阻变存储器,所述两个阻变存储器位于所述MOSFET晶体管的漏端,与所述MOSFET晶体管串联。...
蔡一茂
凌尧天
王宗巍
刘毅华
方亦陈
肖韩
黄如
文献传递
一种基于CMOS制备工艺的氧化物非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于CMOS制备工艺的氧化物非易失性存储器及其制备方法,克服了现有存储器阵列与CMOS后端工艺集成的问题,通过合理设计和优化工艺流程使得材料和工艺在兼容现有CMOS后端工艺基础上,同时实现高性能、高可靠存...
王宗巍
蔡一茂
凌尧天
方亦陈
肖韩
黄如
文献传递
一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法,属于场效应晶体管的制备领域,该方法完全采用标准CMOS工艺来制备LDMOS的办法,仅仅需要通过如下版图设计来实现LDMOS,即定义有源区版以形成LDMOS器件的体引出区、...
张丽杰
黄如
肖韩
王鹏飞
杨淮洲
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一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器及其制备方法
本发明公开了一种基于CMOS工艺平台的氧化物忆阻器及其制备方法,在不影响CMOS电路性能和可靠性的前提下,通过专门设计的工艺流程在片上集成性能良好、稳定的忆阻器,解决了忆阻器阵列与传统CMOS电路集成的问题,并可有效解决...
蔡一茂
凌尧天
王宗巍
方亦陈
肖韩
黄如
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场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种准SOI场效应晶体管的制备方法,属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法首先采用常规的工艺方法,实现浅槽隔离,淀积并刻蚀栅材料及上面覆盖的硬掩膜材料,形成栅区,接着制备栅侧墙保护栅区;第二步刻蚀源漏...
肖韩
黄如
田豫
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一种基于阻变存储器的1T2R存储单元及其制备方法
本发明涉及一种基于阻变存储器的1T2R存储单元及其制备方法。该基于阻变存储器的1T2R存储单元包括一个MOSFET晶体管和两个阻变存储器,所述两个阻变存储器位于所述MOSFET晶体管的漏端,与所述MOSFET晶体管串联。...
蔡一茂
凌尧天
王宗巍
刘毅华
方亦陈
肖韩
黄如
制备凹陷源漏场效应晶体管的方法
本发明提供了一种凹陷源漏场效应晶体管的制备方法,属于超大规模集成电路技术(ULSI)领域。该方法引入了外延工艺和采用牺牲层的办法,在衬底中引入两个“L”型的埋氧层结构。采用这种方法,器件工艺参数和物理参数诸如逆向掺杂浓度...
肖韩
黄如
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