2024年11月27日
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王宏
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51
被引量:5
H指数:1
供职机构:
兰州大学
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相关领域:
电子电信
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环境科学与工程
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合作作者
刘明
中国科学院微电子研究所纳米加工...
商立伟
中国科学院微电子研究所纳米加工...
刘兴华
中国科学院微电子研究所纳米加工...
柳江
中国科学院微电子研究所纳米加工...
刘舸
中国科学院微电子研究所纳米加工...
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王宏
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商立伟
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1996
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顶接触结构有机场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶接触结构有机场效应晶体管的制备方法,属于微电子学技术领域。其步骤包括在导电基底上制备绝缘介质层;在绝缘介质层表面上沉积生长一层有机半导体薄膜;在有机半导体薄膜表面沉积生长一层绝缘保护层;在保护层表面旋涂...
刘明
王宏
姬濯宇
商立伟
刘兴华
文献传递
一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法,该方法包括:在导电基底上生长绝缘介质薄膜;在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到T形沟道的底电极胶图形;在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜;用丙酮剥离掉光...
刘舸
刘明
刘兴华
商立伟
王宏
柳江
文献传递
一种制备过孔的方法
本发明公开了一种制备过孔的方法,包括:在绝缘衬底上涂敷光刻胶;光刻得到栅电极图形;电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极;用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形;在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形;电子束蒸发过孔金...
刘舸
刘明
刘兴华
商立伟
王宏
柳江
基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法
本发明公开了一种基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法,是通过三次光刻、三次金属沉积、一次有机半导体薄膜生长、一次绝缘介质层生长和一次绝缘介质层刻蚀,获得有机集成电路,该方法包括:在绝缘衬底上旋涂光刻胶保护层,光...
姬濯宇
王宏
刘明
商立伟
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一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法。该方法在电极和栅介质层之间加一层真空蒸镀的有机半导体材料。这层半导体材料减小了下电极与有机半导体层材料之间的接触效应从而提高的性能。这层有机半导体材料可以就是有源层材...
刘舸
刘明
刘兴华
商立伟
王宏
柳江
有机场效应晶体管存储器的编程方法
本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器的编程方法。该编程方法中,在对有机场效应晶体管存储器进行编程时施加光照,这有助于增加有机场效应晶体管存储器中存储的载流子数目和增大沟道的开态电流,从而可以提高有机场效应晶体管存储器的...
刘明
王宏
姬濯宇
商立伟
陈映平
王艳花
韩买兴
刘欣
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一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法,通过在有机材料蒸镀生长之前先在栅介质上通过常规光刻和剥离的工艺淀积一薄层叉形金属底电极线条,金属线条平行排列;蒸镀有机半导体材料后再在金属线条两边通过漏板蒸镀源...
刘舸
刘明
刘兴华
商立伟
王宏
柳江
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一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法,该方法包括:步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶;步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻,得到栅介质图形;步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜;步骤4、剥离得到栅介质图形...
刘舸
刘明
刘兴华
商立伟
王宏
柳江
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一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法,该方法包括:在导电基底上生长绝缘介质薄膜;在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到T形沟道的底电极胶图形;在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜;用丙酮剥离掉光...
刘舸
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采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法,包括:在绝缘衬底上涂敷光刻胶;光刻得到栅电极图形;蒸发或沉积金属电极材料;用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形;在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料;...
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