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王宏

作品数:51 被引量:5H指数:1
供职机构:兰州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学环境科学与工程医药卫生更多>>

文献类型

  • 43篇专利
  • 5篇学位论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 15篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇医药卫生
  • 1篇文化科学

主题

  • 30篇晶体管
  • 29篇场效应
  • 28篇晶体
  • 28篇场效应晶体管
  • 26篇有机半导体
  • 26篇有机场效应晶...
  • 26篇半导体
  • 16篇电极
  • 15篇有机半导体材...
  • 15篇半导体材料
  • 12篇真空蒸镀
  • 9篇光刻
  • 8篇金属
  • 8篇沟道
  • 8篇光刻工艺
  • 7篇硅基
  • 7篇硅基底
  • 7篇衬底
  • 7篇存储器
  • 6篇绝缘

机构

  • 45篇中国科学院微...
  • 8篇兰州大学

作者

  • 51篇王宏
  • 45篇商立伟
  • 45篇刘明
  • 30篇刘兴华
  • 29篇刘舸
  • 29篇柳江
  • 19篇姬濯宇
  • 11篇韩买兴
  • 11篇刘欣
  • 9篇陈映平
  • 5篇王艳花
  • 3篇彭应全
  • 2篇涂德钰
  • 2篇刘光华
  • 2篇李冬梅
  • 2篇谢常青
  • 2篇陆丛研
  • 1篇宋长安
  • 1篇赵明
  • 1篇李训栓

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇中国科学(E...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 16篇2012
  • 10篇2011
  • 17篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2003
  • 1篇1996
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
顶接触结构有机场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种顶接触结构有机场效应晶体管的制备方法,属于微电子学技术领域。其步骤包括在导电基底上制备绝缘介质层;在绝缘介质层表面上沉积生长一层有机半导体薄膜;在有机半导体薄膜表面沉积生长一层绝缘保护层;在保护层表面旋涂...
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文献传递
一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法,该方法包括:在导电基底上生长绝缘介质薄膜;在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到T形沟道的底电极胶图形;在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜;用丙酮剥离掉光...
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一种制备过孔的方法
本发明公开了一种制备过孔的方法,包括:在绝缘衬底上涂敷光刻胶;光刻得到栅电极图形;电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极;用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形;在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形;电子束蒸发过孔金...
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基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法
本发明公开了一种基于顶栅结构有机场效应晶体管集成电路的制备方法,是通过三次光刻、三次金属沉积、一次有机半导体薄膜生长、一次绝缘介质层生长和一次绝缘介质层刻蚀,获得有机集成电路,该方法包括:在绝缘衬底上旋涂光刻胶保护层,光...
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一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种底电极结构有机场效应晶体管的制作方法。该方法在电极和栅介质层之间加一层真空蒸镀的有机半导体材料。这层半导体材料减小了下电极与有机半导体层材料之间的接触效应从而提高的性能。这层有机半导体材料可以就是有源层材...
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有机场效应晶体管存储器的编程方法
本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器的编程方法。该编程方法中,在对有机场效应晶体管存储器进行编程时施加光照,这有助于增加有机场效应晶体管存储器中存储的载流子数目和增大沟道的开态电流,从而可以提高有机场效应晶体管存储器的...
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一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备混合接触型电极的有机场效应晶体管的方法,通过在有机材料蒸镀生长之前先在栅介质上通过常规光刻和剥离的工艺淀积一薄层叉形金属底电极线条,金属线条平行排列;蒸镀有机半导体材料后再在金属线条两边通过漏板蒸镀源...
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一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法,该方法包括:步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶;步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻,得到栅介质图形;步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜;步骤4、剥离得到栅介质图形...
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一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法,该方法包括:在导电基底上生长绝缘介质薄膜;在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂,光刻得到T形沟道的底电极胶图形;在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜;用丙酮剥离掉光...
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采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法,包括:在绝缘衬底上涂敷光刻胶;光刻得到栅电极图形;蒸发或沉积金属电极材料;用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形;在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料;...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
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共6页<123456>
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