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刘舸

作品数：49 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 32篇晶体管
  • 29篇晶体
  • 28篇有机场效应晶...
  • 28篇场效应
  • 28篇场效应晶体管
  • 25篇有机半导体
  • 25篇半导体
  • 18篇电极
  • 17篇光刻
  • 14篇有机半导体材...
  • 14篇半导体材料
  • 12篇真空蒸镀
  • 10篇沟道
  • 9篇绝缘衬底
  • 9篇衬底
  • 8篇刻蚀
  • 8篇光刻工艺
  • 7篇金属
  • 7篇硅基
  • 7篇硅基底

机构

  • 49篇中国科学院微...
  • 1篇兰州大学

作者

  • 49篇刘舸
  • 48篇商立伟
  • 48篇刘明
  • 43篇刘兴华
  • 31篇柳江
  • 29篇王宏
  • 17篇涂德钰
  • 11篇甄丽娟
  • 5篇姬濯宇
  • 2篇刘光华
  • 1篇彭应全

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学（E...
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 5篇2012
  • 12篇2011
  • 22篇2010
  • 8篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法
本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构，该结构由有机半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属薄膜构成。对于顶接触式器件结构，该第一层金属薄膜为高功函数金属薄膜，该第二层金属薄膜为廉价金属薄...
商立伟刘明涂德钰甄丽娟刘舸刘兴华
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一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到T形沟道的底电极胶图形；在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
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一种制备过孔的方法
本发明公开了一种制备过孔的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；电子束蒸发或者PECVD沉积金属电极；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；电子束蒸发过孔金...
刘舸刘明刘兴华商立伟王宏柳江
一种制备有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在衬底上采用光刻和剥离工艺形成分立的金属栅电极；在衬底和栅电极上形成栅介质绝缘层；在栅介质绝缘层上旋涂光刻胶，经过曝光显影得到光刻胶掩模版图形；在栅介质绝缘层和光刻...
甄丽娟刘明商立伟刘舸
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阻变存储器的检测电路及检测设备
本发明公开了一种阻变存储器的检测电路及检测设备。检测电路为：设置字线的电压为预定的读取电压并检测阻变存储器中流动的电流值，在合理的选择取样电阻后，通过比较读取电压和取样电阻上的电压，从而读出存储器中的数据。检测设备包括：...
柳江刘明姬濯宇涂德钰刘兴华商立伟刘舸王宏
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应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法
本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构，该结构由有机半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属薄膜构成。对于顶接触式器件结构，该第一层金属薄膜为高功函数金属薄膜，该第二层金属薄膜为廉价金属薄...
商立伟刘明涂德钰甄丽娟刘舸刘兴华
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一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法
本发明属于有机电子技术领域，特别涉及一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法。为了克服现有技术中成本高的缺陷，本发明提供一种纳米级沟道有机场效应晶体管，包括绝缘衬底上的源电极、绝缘层、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅...
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一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法
本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到T形沟道的底电极胶图形；在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光...
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采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种采用有源层图形化制备有机场效应晶体管的方法，包括：在绝缘衬底上涂敷光刻胶；光刻得到栅电极图形；蒸发或沉积金属电极材料；用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；在栅电极上蒸发或沉积一层绝缘介质层材料；...
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一种制备有机场效应晶体管的方法
本发明公开了一种制备有机场效应晶体管的方法，该方法包括：在衬底上采用光刻和剥离工艺形成分立的金属栅电极；在衬底和栅电极上形成栅介质绝缘层；在栅介质绝缘层上旋涂光刻胶，经过曝光显影得到光刻胶掩模版图形；在栅介质绝缘层和光刻...
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